[發(fā)明專利]利用陶瓷厚膜電阻器單元修復厚膜混合集成電路的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310371881.3 | 申請日： | 2013-08-23 |
| 公開（公告）號： | CN103441102A | 公開（公告）日： | 2013-12-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李壽勝;鄒建安;謝年生 | 申請（專利權(quán)）人： | 華東光電集成器件研究所 |
| 主分類號： | H01L21/78 | 分類號： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源專利商標事務所 34113 | 代理人： | 楊晉弘 |
| 地址： | 233042 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 利用 陶瓷 電阻器 單元 修復 混合 集成電路 方法 | ||
1.利用陶瓷厚膜電阻器單元修復厚膜混合集成電路的方法，其特征在于包括以下步驟：
（1）、制作標準阻值的陶瓷厚膜電阻器單元，
（2）、修復厚膜混合集成電路，
a.隔離不合格厚膜電阻，將不合格厚膜電阻用激光切割的方法使其斷開與厚膜混合集成電路的電學連接；
b.粘片，將陶瓷厚膜電阻器單元粘接于不合格的厚膜電阻上；
c.鍵合，將陶瓷厚膜電阻器單元通過鍵合使其與厚膜電路形成電連接；
d.激光有源微調(diào)陶瓷厚膜電阻器單元的阻值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用陶瓷厚膜電阻器單元修復厚膜混合集成電路的方法，其特征在于所述的制作標準阻值的陶瓷厚膜電阻器單元，包括以下步驟：
a.?陶瓷基板的版圖設(shè)計，整塊陶瓷基板上設(shè)計有縱橫交錯的網(wǎng)格，每一網(wǎng)格為一個陶瓷基板單元，陶瓷基板單元長度不大于2.5mm，寬度不大于1.5mm；
單個陶瓷厚膜電阻器單元版圖設(shè)計，陶瓷厚膜電阻器單元包括陶瓷基板單元（4），陶瓷基板單元（4）兩端由導體漿料印刷的矩形端電極（5），兩個矩形端電極（5）中間由電阻漿料印刷的矩形電阻塊（6）；
b.?將陶瓷基板版圖及陶瓷厚膜電阻器單元版圖光繪底片；
c.?將底片制版；
d.將陶瓷基板沿著網(wǎng)格預先激光切割，切割深度不小于陶瓷基板厚度的一半；
e.基板清洗；
f.?在陶瓷基板上絲網(wǎng)印刷矩形端電極（5）和矩形電阻塊（6），然后干燥、燒結(jié)；
g.?燒結(jié)好的陶瓷基板沿著網(wǎng)格線端裂成獨立的陶瓷厚膜電阻器單元。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
