[發(fā)明專利]包括加電復(fù)位電路的半導(dǎo)體器件及其操作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310370051.9 | 申請(qǐng)日: | 2013-08-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104103311A | 公開(公告)日: | 2014-10-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張棌圭 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號(hào): | G11C16/06 | 分類號(hào): | G11C16/06;H03K17/22 |
| 代理公司: | 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;周曉雨 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 包括 復(fù)位 電路 半導(dǎo)體器件 及其 操作方法 | ||
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求于2013年4月10日提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2013-0039411的韓國專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán),其全部內(nèi)容通過引用合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開在一些方面涉及被供電的電子器件,更具體而言涉及包括加電復(fù)位電路的半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)
諸如存儲(chǔ)器件和系統(tǒng)LSI(大規(guī)模集成)器件這樣的具有許多功能的芯片包括初始條件要被設(shè)定為用于正確操作的電路。例如,需要在芯片正常操作之前執(zhí)行初始化操作。通常,響應(yīng)于從加電復(fù)位電路輸出的加電復(fù)位信號(hào)而執(zhí)行初始化操作。
加電復(fù)位電路在芯片的接地電壓增加到預(yù)定的電壓電平時(shí)產(chǎn)生加電復(fù)位信號(hào)。通過在芯片中使用加電復(fù)位信號(hào),可以在芯片正常操作之前將諸如鎖存器、觸發(fā)器和寄存器這樣的需要初始化的區(qū)域復(fù)位。然而,一些加電復(fù)位電路不夠電穩(wěn)定或者不耐電噪聲,耗能多,或者顯著地受到諸如溫度的環(huán)境參數(shù)或諸如工藝變化的物理參數(shù)的影響。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及具有低功耗的加電復(fù)位電路、包括所述加電復(fù)位電路的半導(dǎo)體器件、以及操作所述半導(dǎo)體器件的方法。
根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件包括:加電復(fù)位電路,所述加電復(fù)位電路被配置成接收電源電壓,以及產(chǎn)生隨著電源電壓的電壓電平而變化的加電復(fù)位信號(hào);內(nèi)部電路,所述內(nèi)部電路被配置成響應(yīng)于加電復(fù)位信號(hào)而被初始化和操作,以及基于操作模式而產(chǎn)生保持信號(hào);以及復(fù)位保護(hù)電路,所述復(fù)位保護(hù)電路被配置成響應(yīng)于保持信號(hào)而將加電復(fù)位電路去激活,以及當(dāng)加電復(fù)位電路被去激活時(shí)提供用于替換加電復(fù)位信號(hào)的替換信號(hào)給內(nèi)部電路。
根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的操作半導(dǎo)體器件的方法包括以下步驟:產(chǎn)生隨著電源電壓的電壓電平而改變的加電復(fù)位信號(hào);提供加電復(fù)位信號(hào)給內(nèi)部電路;響應(yīng)于加電復(fù)位信號(hào)來執(zhí)行內(nèi)部電路的初始化操作;在內(nèi)部電路被初始化之后基于內(nèi)部電路的操作模式來產(chǎn)生保持信號(hào);響應(yīng)于保持信號(hào)而將加電復(fù)位電路去激活;以及當(dāng)加電復(fù)位電路被去激活時(shí)提供用于替換加電復(fù)位信號(hào)的替換信號(hào)給內(nèi)部電路。在一些實(shí)施例中,替換是針對(duì)高激活信號(hào)而將加電信號(hào)驅(qū)動(dòng)為低。
根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括:存儲(chǔ)器單元陣列;加電復(fù)位電路,所述加電復(fù)位電路被配置成接收電源電壓,以及產(chǎn)生隨著電源電壓的電壓電平而變化的加電復(fù)位信號(hào);外圍電路,所述外圍電路被配置成響應(yīng)于加電復(fù)位信號(hào)而被初始化以驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)器單元陣列,以及基于外圍電路的操作模式而產(chǎn)生保持信號(hào);以及復(fù)位保護(hù)電路,所述復(fù)位保護(hù)電路被配置成響應(yīng)于保持信號(hào)而將加電復(fù)位電路去激活,以及當(dāng)加電復(fù)位電路被去激活時(shí)提供用于替換加電復(fù)位信號(hào)的替換信號(hào)給外圍電路。
附圖說明
通過實(shí)例來說明一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例,但并非帶有限制性,在附圖中,其中帶有相同附圖標(biāo)記的元件在全部附圖中表示相似的元件。要強(qiáng)調(diào)的是,根據(jù)業(yè)界的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐,各個(gè)特征可能并非按比例繪制,而僅僅是用于圖示的目的。事實(shí)上,出于討論的清楚起見,附圖中各個(gè)特征的尺寸可以任意增大或減小。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的框圖;
圖2是圖1的加電復(fù)位電路和復(fù)位保護(hù)電路的電路圖;
圖3是圖2的開關(guān)單元的詳細(xì)電路圖;
圖4是說明操作圖1的半導(dǎo)體器件的方法的流程圖;
圖5是說明根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的操作半導(dǎo)體器件的方法的流程圖;
圖6是說明操作圖1的半導(dǎo)體器件的方法的時(shí)序圖;
圖7是說明當(dāng)保持信號(hào)被禁止時(shí)的加電復(fù)位信號(hào)POR的信號(hào)圖;
圖8是說明當(dāng)保持信號(hào)被使能時(shí)的替換信號(hào)RS的信號(hào)圖;
圖9是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的具有存儲(chǔ)器單元陣列的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的框圖;
圖10是說明根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的操作圖9的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法的時(shí)序圖;
圖11是說明根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的操作圖9的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法的時(shí)序圖;
圖12是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的框圖;
圖13是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的圖12的控制器的框圖;以及
圖14是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的包括參照?qǐng)D12描述的存儲(chǔ)系統(tǒng)的計(jì)算系統(tǒng)的框圖。
具體實(shí)施方式
下文將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例。提供附圖是為了使本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例來實(shí)現(xiàn)和使用本發(fā)明。
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