[發(fā)明專利]包括加電復(fù)位電路的半導(dǎo)體器件及其操作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310370051.9
• 申請日: 2013-08-22
• 公開（公告）號: CN104103311A
• 公開（公告）日: 2014-10-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張棌圭
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;H03K17/22
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;周曉雨

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

加電復(fù)位電路，所述加電復(fù)位電路被配置成：

接收電源電壓，以及

產(chǎn)生隨著所述電源電壓的電壓電平而變化的加電復(fù)位信號；

內(nèi)部電路，所述內(nèi)部電路被配置成：

響應(yīng)于所述加電復(fù)位信號而被初始化和操作，以及

基于所述內(nèi)部電路的操作模式而產(chǎn)生保持信號；以及

復(fù)位保護(hù)電路，所述復(fù)位保護(hù)電路被配置成：

響應(yīng)于所述保持信號而將所述加電復(fù)位電路去激活，以及

當(dāng)所述加電復(fù)位電路被去激活時(shí)，向所述內(nèi)部電路提供用于替換所述加電復(fù)位信號的替換信號。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述加電復(fù)位電路被配置成：當(dāng)所述電源電壓增加到預(yù)定電平時(shí)，將所述加電復(fù)位信號轉(zhuǎn)變?yōu)槭鼓軤顟B(tài)，以及

其中，所述內(nèi)部電路被配置成響應(yīng)于所述加電復(fù)位信號轉(zhuǎn)變?yōu)樗鍪鼓軤顟B(tài)而被初始化。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述加電復(fù)位電路被配置成：當(dāng)所述電源電壓增加到比所述預(yù)定電平高的電平并且穩(wěn)定時(shí)，保持所述加電復(fù)位信號的使能狀態(tài)。

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述復(fù)位保護(hù)電路被配置成：

當(dāng)所述保持信號被使能時(shí)，阻止所述加電復(fù)位信號提供給所述內(nèi)部電路，以及

當(dāng)所述加電復(fù)位信號被阻止時(shí)，輸出所述替換信號，所述替換信號具有與所述加電復(fù)位信號的使能狀態(tài)相同的邏輯值。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，當(dāng)所述保持信號被禁止時(shí)，所述復(fù)位保護(hù)電路將所述加電復(fù)位信號傳送給所述內(nèi)部電路，以及

當(dāng)所述保持信號被使能時(shí)，所述復(fù)位保護(hù)電路將所述加電復(fù)位電路去激活，并且提供所述替換信號給所述內(nèi)部電路。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中，當(dāng)所述內(nèi)部電路在正常模式下操作時(shí)，所述保持信號被禁止，以及

當(dāng)所述內(nèi)部電路在休眠模式下操作時(shí)，所述保持信號被使能。

7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中，當(dāng)所述內(nèi)部電路在激活模式下操作時(shí)，所述保持信號被禁止，以及

當(dāng)所述內(nèi)部電路在待機(jī)模式和休眠模式下操作時(shí)，所述保持信號被使能。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述復(fù)位保護(hù)電路包括：

控制單元，所述控制單元被配置成響應(yīng)于所述保持信號而將所述加電復(fù)位電路去激活；以及

開關(guān)單元，所述開關(guān)單元被配置成響應(yīng)于所述保持信號而選擇性地輸出所述加電復(fù)位信號和參考電壓中的一個(gè)至所述內(nèi)部電路。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述開關(guān)單元被配置成輸出所述參考電壓作為所述替換信號。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述開關(guān)單元包括：

第一晶體管，所述第一晶體管被配置成：當(dāng)所述保持信號被禁止時(shí)，將所述加電復(fù)位信號輸出給所述內(nèi)部電路；以及

第二晶體管，所述第二晶體管被配置成：當(dāng)所述保持信號被使能時(shí)，將所述參考電壓作為所述替換信號輸出給所述內(nèi)部電路。