[發(fā)明專利]一種FTO導(dǎo)電薄膜的刻蝕方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310368897.9
• 申請(qǐng)日: 2013-08-22
• 公開（公告）號(hào): CN103435266A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊希川
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 大連七色光太陽能科技開發(fā)有限公司
• 主分類號(hào): C03C15/00
• 分類號(hào): C03C15/00
• 代理公司: 大連星海專利事務(wù)所 21208
• 代理人: 裴毓英

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及導(dǎo)電薄膜的刻蝕技術(shù)，尤其涉及一種FTO導(dǎo)電薄膜的刻蝕方法。?

背景技術(shù)

導(dǎo)電薄膜玻璃不但具有良好的導(dǎo)電性，而且像玻璃一樣具有較高的透明性，因此導(dǎo)電薄膜玻璃作為一種功能性材料而被廣泛應(yīng)用于顯示器件中的電極材料（如：觸摸屏電極，場致發(fā)光器件的電極，液晶顯示器件中的透明電極和電致變色顯示器件中的電極等）、薄膜太陽能電池、熱反射膜、汽車玻璃及后視鏡、防靜電和防電磁屏蔽層等領(lǐng)域。導(dǎo)電薄膜玻璃中應(yīng)用較為廣泛的有摻錫氧化銦（ITO）導(dǎo)電薄膜玻璃、摻氟氧化錫（FTO）導(dǎo)電薄膜玻璃、摻鋁氧化鋅（AZO）導(dǎo)電薄膜玻璃和摻硼氧化鋅（BZO）導(dǎo)電薄膜玻璃等。

由于不同產(chǎn)品的應(yīng)用需求，通常需要對(duì)導(dǎo)電薄膜玻璃上的導(dǎo)電薄膜進(jìn)行圖案制作，即，根據(jù)設(shè)計(jì)的圖案進(jìn)行導(dǎo)電薄膜的刻蝕，使導(dǎo)電薄膜形成若干連續(xù)或斷開的圖形，從而實(shí)現(xiàn)某些特定的功能。導(dǎo)電薄膜進(jìn)行刻蝕通常會(huì)采用兩種方法：一種是激光刻蝕方法，這種方法雖然刻蝕精度高，但是對(duì)刻蝕設(shè)備要求高，而且在刻蝕復(fù)雜圖形的時(shí)候生產(chǎn)效率低；另一種方法是傳統(tǒng)的化學(xué)溶解腐蝕方法，即純化學(xué)刻蝕法。對(duì)FTO導(dǎo)電薄膜的刻蝕是采用鋅粉/鹽酸體系，即在需要被刻蝕的區(qū)域覆蓋上鋅粉，然后在同樣區(qū)域噴灑鹽酸溶液，便可使所在區(qū)域的導(dǎo)電薄膜被除去。這種方法在生產(chǎn)過程中會(huì)產(chǎn)生大量的氫氣和未反應(yīng)的鋅粉，難以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn)，生產(chǎn)效率低下。?

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于，針對(duì)上述現(xiàn)有FTO導(dǎo)電薄膜刻蝕效率低，難以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化的問題，提出一種FTO導(dǎo)電薄膜的刻蝕方法，以實(shí)現(xiàn)刻蝕生產(chǎn)效率高、便于工業(yè)化實(shí)施的優(yōu)點(diǎn)。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：一種FTO導(dǎo)電薄膜的刻蝕方法，包括以下步驟：將FTO導(dǎo)電薄膜沉積在基板上，按預(yù)制圖樣在FTO導(dǎo)電薄膜一側(cè)覆蓋絕緣抗蝕刻層，將沉積有FTO導(dǎo)電薄膜的基板放置于酸性溶液中，并在靠近絕緣抗蝕刻層的一側(cè)設(shè)置鋅板，未覆蓋絕緣抗蝕刻層的FTO導(dǎo)電薄膜被刻蝕去除。

進(jìn)一步地，所述鋅板與基板平行、相對(duì)放置。

進(jìn)一步地，所述基板為硬質(zhì)基板或柔性基板。

進(jìn)一步地，所述硬質(zhì)基板為玻璃基板；所述柔性基板為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)板或聚對(duì)萘二甲酸乙二醇酯(PEN)板。

進(jìn)一步地，所述絕緣抗蝕刻層采用熱固化型絕緣抗蝕刻劑或光固化型絕緣抗蝕刻劑制備而成。

進(jìn)一步地，所述酸性溶液為鹽酸、硫酸、硝酸和醋酸溶液中的一種或多種，所述酸性溶液中酸的質(zhì)量濃度為0.1%?-?30%。

本發(fā)明的有益效果是：提供了一種FTO導(dǎo)電薄膜的刻蝕方法。相比于激光刻蝕法在刻蝕復(fù)雜圖形時(shí)的低效化及鋅粉刻蝕法后處理困難，效率低下等缺點(diǎn)，本發(fā)明通過使用鋅板替代鋅粉，可以有效解決上述問題，大大提高FTO導(dǎo)電薄膜的刻蝕生產(chǎn)效率。?

附圖說明

圖1為本發(fā)明一種FTO導(dǎo)電薄膜的刻蝕方法采用的反應(yīng)裝置示意圖；

圖2為圖1中A區(qū)刻蝕前的放大圖；

圖3為圖1中A區(qū)刻蝕后的放大圖。?

具體實(shí)施方式

本發(fā)明提出了一種生產(chǎn)效率高、便于工業(yè)化實(shí)施的FTO導(dǎo)電薄膜的刻蝕方法。具體的所述一種FTO導(dǎo)電薄膜的刻蝕方法，包括以下步驟：將FTO導(dǎo)電薄膜沉積在基板上，然后，按預(yù)制圖樣在FTO導(dǎo)電薄膜一側(cè)覆蓋絕緣抗蝕刻層，將沉積有FTO導(dǎo)電薄膜的基板放置于酸性溶液中，并在靠近絕緣抗蝕刻層的一側(cè)設(shè)置鋅板，未覆蓋絕緣抗蝕刻層的FTO導(dǎo)電薄膜被刻蝕去除。

所述鋅板與沉積有FTO導(dǎo)電薄膜的基板平行、相對(duì)放置，以便電子在各導(dǎo)體之間更好的傳輸，實(shí)現(xiàn)最佳刻蝕效果。所述鋅板與沉積有FTO導(dǎo)電薄膜的基板之間的距離是根據(jù)實(shí)際刻蝕條件：如刻蝕時(shí)間、刻蝕深度等因素決定的。

該基板為硬質(zhì)基板或柔性基板。所述硬質(zhì)基板為玻璃基板；所述柔性基板為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)板或聚對(duì)萘二甲酸乙二醇酯(PEN)板。

該絕緣抗蝕刻層采用熱固化型絕緣抗蝕刻劑或光固化型絕緣抗蝕刻劑制備而成，如耐酸油墨或UV固化膠等。

本發(fā)明中所述酸性溶液為鹽酸、硫酸、硝酸和醋酸溶液中的一種或多種，所述酸性溶液中酸的質(zhì)量濃度為0.1%?-?30%。

將絕緣抗蝕刻層與FTO導(dǎo)電薄膜分離可采用以下步驟：在未覆蓋絕緣抗蝕刻層的FTO導(dǎo)電薄膜被刻蝕去除后，將陰極從酸性電解液中取出，洗凈后放入剝膜液中，使絕緣抗蝕刻層與FTO導(dǎo)電薄膜脫離。所述剝膜液為與堿性溶液。?

實(shí)施例1