[發明專利]一種FTO導電薄膜的刻蝕方法有效
| 申請號： | 201310368897.9 | 申請日： | 2013-08-22 |
| 公開（公告）號： | CN103435266A | 公開（公告）日： | 2013-12-11 |
| 發明（設計）人： | 楊希川 | 申請（專利權）人： | 大連七色光太陽能科技開發有限公司 |
| 主分類號： | C03C15/00 | 分類號： | C03C15/00 |
| 代理公司： | 大連星海專利事務所 21208 | 代理人： | 裴毓英 |
| 地址： | 116021 遼寧省大連市高*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 fto 導電 薄膜 刻蝕 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種FTO導電薄膜的刻蝕方法，其特征在于，包括以下步驟：將FTO導電薄膜沉積在基板上，按預制圖樣在FTO導電薄膜一側覆蓋絕緣抗蝕刻層，將沉積有FTO導電薄膜的基板放置于酸性溶液中，并在靠近絕緣抗蝕刻層的一側設置鋅板，未覆蓋絕緣抗蝕刻層的FTO導電薄膜被刻蝕去除。
2.根據權利要求1所述一種FTO導電薄膜的刻蝕方法，其特征在于，所述鋅板與基板平行、相對放置。
3.根據權利要求1所述一種FTO導電薄膜的刻蝕方法，其特征在于，所述基板為硬質基板或柔性基板。
4.根據權利要求3所述一種FTO導電薄膜的刻蝕方法，其特征在于，所述硬質基板為玻璃基板；所述柔性基板為聚對苯二甲酸乙二醇酯板或聚對萘二甲酸乙二醇酯板。
5.根據權利要求1所述一種FTO導電薄膜的刻蝕方法，其特征在于，所述絕緣抗蝕刻層采用熱固化型絕緣抗蝕刻劑或光固化型絕緣抗蝕刻劑制備而成。
6.根據權利要求1所述一種FTO導電薄膜的刻蝕方法，其特征在于，所述酸性電解液為鹽酸、硫酸、硝酸和醋酸溶液中的一種或多種。
7.根據權利要求6所述一種FTO導電薄膜的刻蝕方法，其特征在于，所述酸性電解液中酸的質量濃度為0.1%?-?30%。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于大連七色光太陽能科技開發有限公司，未經大連七色光太陽能科技開發有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310368897.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種啤酒鴨面
- 下一篇：蔬菜普洱茶面粉及其制備方法
