[發(fā)明專利]一種復(fù)合納米薄膜的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310367859.1
• 申請(qǐng)日: 2013-08-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103396573A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊亞杰;楊文耀;徐建華;蔣亞?wèn)|
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): C08J5/18
• 分類號(hào): C08J5/18;C08L65/00;C08L79/04;C08L79/02;C08K9/00;C08K3/04;C08G61/12;C08G73/06;C08G73/02
• 代理公司: 成都華典專利事務(wù)所(普通合伙) 51223
• 代理人: 徐豐;楊保剛

1.一種復(fù)合納米薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

①將氧化石墨烯量子點(diǎn)分散于有機(jī)溶劑中，形成氧化石墨烯量子點(diǎn)分散溶液；?

②將氧化石墨烯量子點(diǎn)分散溶液滴加于LB膜槽中的超純水溶液表面，氧化石墨烯量子點(diǎn)分散鋪展于超純水表面；

③控制LB膜設(shè)備滑障壓縮氧化石墨烯量子點(diǎn)膜到成膜膜壓，形成高密度有序排列氧化石墨烯量子點(diǎn)薄膜結(jié)構(gòu)，并采用水平成膜的方式將氧化石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移至ITO基片表面；

④將3，4乙烯二氧噻吩和甲基苯磺酸鐵加入無(wú)水乙醇溶劑，獲得導(dǎo)電聚合物聚3，4-乙烯二氧噻吩溶液；

⑤采用旋涂方法將步驟④獲得的溶液沉積于氧化石墨烯量子點(diǎn)薄膜上，形成氧化石墨烯量子點(diǎn)/導(dǎo)電聚合物復(fù)合納米薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合納米薄膜的制備方法，其特征在于，更具體的步驟為：

①將羧基化氧化石墨烯量子點(diǎn)分散于N,N-二甲基乙酰胺中，羧基化氧化石墨烯量子點(diǎn)的濃度為5～7mg/ml，形成用于LB膜制備的氧化石墨烯量子點(diǎn)分散液；

②將3，4乙烯二氧噻吩和甲基苯磺酸鐵加入無(wú)水乙醇溶劑，形成用于旋涂的聚3，4-乙烯二氧噻吩溶液，其中3，4乙烯二氧噻吩和甲基苯磺酸鐵的質(zhì)量比為1：4。

③采用微量進(jìn)樣器抽取400～600?μl?步驟①獲得的溶液滴加于LB膜槽中的超純水溶液表面，待N,N-二甲基乙酰胺揮發(fā)30?min后開(kāi)始?jí)耗ぃ?/p>

④控制LB膜設(shè)備滑障以0.5-1?mm/min的速度壓縮氧化石墨烯膜到膜壓20-25?mN/m，采用水平成膜的方式將氧化石墨烯量子點(diǎn)膜轉(zhuǎn)移至硅基片上，成膜速率為0.3-0.5?mm/min；

⑤將沉積了氧化石墨烯量子點(diǎn)膜的基片置于旋涂?jī)x上，采用旋涂的方法將步驟②獲得的溶液旋涂于氧化石墨烯量子點(diǎn)薄膜上，形成氧化石墨烯量子點(diǎn)/導(dǎo)電聚合物復(fù)合納米薄膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合納米薄膜的制備方法，其特征在于，所述氧化石墨烯量子點(diǎn)為羧基化或氨基化的氧化石墨烯片，其片徑小于100nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合納米薄膜的制備方法，其特征在于，所述有機(jī)溶機(jī)為N,N-二甲基乙酰胺。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合納米薄膜的制備方法，其特征在于，通過(guò)制備不同層數(shù)的氧化石墨烯量子點(diǎn)膜，獲得不同厚度的氧化石墨烯量子點(diǎn)/導(dǎo)電聚合物薄膜。