[發明專利]一種LED晶片結構在審
申請號: | 201310367768.8 | 申請日: | 2013-08-21 |
公開(公告)號: | CN103400916A | 公開(公告)日: | 2013-11-20 |
發明(設計)人: | 吳少紅 | 申請(專利權)人: | 深圳市凱信光電有限公司 |
主分類號: | H01L33/36 | 分類號: | H01L33/36;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223 | 代理人: | 余敏 |
地址: | 518000 廣東省深圳市南山*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 一種 led 晶片 結構 | ||
【技術領域】
本發明涉及LED晶片結構。
【背景技術】
現有的LED晶片結構,其結構示意圖通常如圖1所示,包括依次設置的襯底1、LED半導體層(包括n型半導體層2、發光層11和p型半導體層3)、透明導電層8。正電極12設置在透明導電層8的上面,LED半導體層為臺階狀,負電極13設置在臺階的臺面上。正電極12通過透明導電層8與p型半導體層3形成電連接,負電極13與n型半導體層2形成電連接。
該種LED晶片結構存在以下不足:1、LED晶片結構工作時,散熱方面主要是通過底部的襯底1散熱,散熱性能并不十分理想。導電方面,是通過正電極、負電極分別連接金線,金線再連接PCB板上的線路層。而由于透明導電層8上為出光面,因此必須將設置在出光面的正電極12的面積設置得較小,以免影響出光效率。這樣,面積較小的電極借助細長的金線導電,使得此種結構的LED晶片的導電性能不好。2、LED晶片結構在后續封裝時,必須通過導線(例如金線、銀線、銅線、合金線)與PCB板上的線路層連接,這就涉及到在LED晶片的正電極、負電極上打金線,一方面,打金線通常需要使用到邦定機,而邦定機價格昂貴(在三、四十萬左右),金線等導線也存在耗材成本,使得LED晶片封裝時成本較高;另一方面,邦定機打金線時,需要設置各方面的參數,設置不好將導致操作失敗,使得LED晶片封裝時工序復雜。
【發明內容】
本發明所要解決的技術問題是:彌補上述現有技術的不足,提出一種LED晶片結構,散熱和導電性能較好,且便于后續封裝,使后續封裝時成本較低,工序簡便。
本發明的技術問題通過以下的技術方案予以解決:
一種LED晶片結構,包括襯底、LED半導體層、透明導電層、第一透明絕緣層、正電極和負電極;所述LED半導體層包括依次設置的n型半導體層、發光層、p型半導體層;所述襯底上依次設置有所述LED半導體層和透明導電層;所述正電極延伸設置在所述襯底和所述LED半導體層的一側;所述正電極與所述LED半導體層中的P型半導體層的端部、所述透明導電層的端部直接接觸連接,所述第一透明絕緣層設置在所述正電極和所述LED半導體層的n型半導體層、發光層之間;或者,所述正電極與所述透明導電層的端部直接接觸連接,所述第一透明絕緣層設置在所述正電極和所述LED半導體層的n型半導體層、發光層、p型半導體層之間;所述負電極延伸設置在所述襯底和所述LED半導體層的另一側,所述負電極與所述LED半導體層中的n型半導體層的端部直接接觸連接。
一種LED晶片結構,包括襯底、LED半導體層、第一透明絕緣層、正電極和負電極;所述LED半導體層包括依次設置的n型半導體層、發光層、p型半導體層;所述襯底上設置有所述LED半導體層;所述正電極延伸設置在所述襯底和所述LED半導體層的一側,所述正電極與所述p型半導體層的端部直接接觸連接,所述第一透明絕緣層設置在所述正電極和所述LED半導體層的n型半導體層、發光層之間;所述負電極延伸設置在所述襯底和所述LED半導體層的另一側,所述負電極與所述LED半導體層中的n型半導體層的端部直接接觸連接。
本發明與現有技術對比的有益效果是:
本發明的LED晶片結構,正電極和負電極分別延伸設置在襯底和LED半導體層的兩側,通過透明絕緣層使相應的電極與半導體層、發光層的絕緣隔絕開,避免短路。由于正電極、負電極延伸設置在兩側,因此不用擔心電極影響出光效率的問題,正電極、負電極的面積可設置得較大。工作時,除通過底部的襯底散熱外,兩側的正負電極也可輔助散熱,從而提高LED晶片結構的散熱性能,使得LED晶片結構的散熱性能較好。導電方面,LED晶片結構的正負電極可直接通過錫膏與PCB板上的線路層焊接連接,不再需要借助細長的金線連接,導電面積較大,從而LED晶片結構的導電性能也較好。而由于正電極、負電極延伸設置在兩側,則后續封裝時,直接通過錫膏焊接在PCB板的線路層上即可,封裝時不再需要打金線,封裝成本較低,封裝工序簡便。
【附圖說明】
圖1是現有技術中LED晶片結構的結構示意圖;
圖2是本發明具體實施方式一的LED晶片結構的結構示意圖;
圖3是本發明具體實施方式一的LED晶片結構的第一種變形結構示意圖;
圖4是本發明具體實施方式一的LED晶片結構的第二種變形結構示意圖;
圖5是本發明具體實施方式一的LED晶片結構的第三種變形結構示意圖;
圖6是本發明具體實施方式二的LED晶片結構的結構示意圖;
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