[發明專利]一種LED晶片結構

在審

• 申請號: 201310367768.8
• 申請日: 2013-08-21
• 公開（公告）號: CN103400916A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發明（設計）人: 吳少紅
• 申請（專利權）人: 深圳市凱信光電有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/62
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 余敏

1.一種LED晶片結構，其特征在于：包括襯底、LED半導體層、透明導電層、第一透明絕緣層、正電極和負電極；所述LED半導體層包括依次設置的n型半導體層、發光層、p型半導體層；

所述襯底上依次設置有所述LED半導體層和透明導電層；

所述正電極延伸設置在所述襯底和所述LED半導體層的一側；所述正電極與所述LED半導體層中的P型半導體層的端部、所述透明導電層的端部直接接觸連接，所述第一透明絕緣層設置在所述正電極和所述LED半導體層的n型半導體層、發光層之間；或者，所述正電極與所述透明導電層的端部直接接觸連接，所述第一透明絕緣層設置在所述正電極和所述LED半導體層的n型半導體層、發光層、p型半導體層之間；

所述負電極延伸設置在所述襯底和所述LED半導體層的另一側，所述負電極與所述LED半導體層中的n型半導體層的端部直接接觸連接。

2.根據權利要求1所述的LED晶片結構，其特征在于：所述n型半導體長于所述p型半導體，使所述LED半導體層形成臺階；所述負電極與所述臺階的側部直接接觸連接。

3.根據權利要求1所述的LED晶片結構，其特征在于：所述n型半導體長于所述p型半導體，使所述LED半導體層形成臺階；所述負電極與所述臺階的側部和臺面均直接接觸連接；所述LED晶片結構還包括第二透明絕緣層，所述第二透明絕緣層設置在所述p型半導體、發光層和所述臺面上的負電極之間。

4.根據權利要求1所述的LED晶片結構，其特征在于：所述正電極和負電極均延伸至所述襯底的底部。

5.根據權利要求1所述的LED晶片結構，其特征在于：所述LED晶片結構還包括透明絕緣保護層，所述透明絕緣保護層設置在所述透明導電層上。

6.根據權利要求1所述的LED晶片結構，其特征在于：所述襯底為藍寶石襯底。

7.根據權利要求6所述的LED晶片結構，其特征在于：所述襯底為圖案化藍寶石襯底（PSS）。

8.根據權利要求1所述的LED晶片結構，其特征在于：所述LED半導體層為氮化鎵半導體層。

9.根據權利要求1所述的LED晶片結構，其特征在于：所述第一透明絕緣層為SiO₂絕緣層。

10.一種LED晶片結構，其特征在于：包括襯底、LED半導體層、第一透明絕緣層、正電極和負電極；所述LED半導體層包括依次設置的n型半導體層、發光層、p型半導體層；

所述襯底上設置有所述LED半導體層；

所述正電極延伸設置在所述襯底和所述LED半導體層的一側，所述正電極與所述p型半導體層的端部直接接觸連接，所述第一透明絕緣層設置在所述正電極和所述LED半導體層的n型半導體層、發光層之間；

所述負電極延伸設置在所述襯底和所述LED半導體層的另一側，所述負電極與所述LED半導體層中的n型半導體層的端部直接接觸連接。