[發(fā)明專利]垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的測試方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310367767.3
• 申請日: 2013-08-21
• 公開（公告）號: CN103499782B
• 公開（公告）日: 2017-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 全新;廖志強(qiáng);張貴斌
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市晶導(dǎo)電子有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司44224
• 代理人: 鄧云鵬

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電子器件測試技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的測試方法。

背景技術(shù)

隨著垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（簡稱VDMOSFET）的規(guī)格和種類越來越多，使用方面也越來越廣泛，電路設(shè)計(jì)越來越復(fù)雜，對VDMOSFET的質(zhì)量、性能要求也越來越嚴(yán)格。在這種復(fù)雜化的發(fā)展進(jìn)程中，原有對VDMOSFET特性分析和判定上的一些概念在部分保留的基礎(chǔ)上，必將引入一些新的判定方法，以及新的概念和指標(biāo)。

一般考慮在不同使用要求中，主要測量VDMOSFET的反向擊穿電壓、閾值電壓、通態(tài)電阻RDON來對其不同產(chǎn)品規(guī)格型號進(jìn)行判定和分類，以及進(jìn)行成品和廢品的區(qū)分。

目前的測試方法是VDMOSFET固有的測試方法，測試條件和范圍是對幾乎所有的常規(guī)VDMOSFET進(jìn)行匯總，而VDMOSFET的性能高低或優(yōu)良程度卻沒有被測量和評估。因此必須引入新的概念和指標(biāo)來有效衡量VDMOSFET的性能。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要提供一種能對VDMOSFET的性能進(jìn)行有效衡量的垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的測試方法。

一種垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的測試方法，包括以下步驟：

對晶體管施加測試電壓并向所述晶體管的漏極注入取樣電流，得到所述晶體管漏極和源極之間的第一電壓；

改為注入測試電流，在給定的測試時間下，對所述晶體管加熱；

改為注入所述取樣電流，得到所述晶體管漏極和源極之間的第二電壓；

將所述第一電壓與所述第二電壓做差，根據(jù)所述第一電壓與所述第二電壓的差值計(jì)算出所述晶體管的熱阻。

在其中一個實(shí)施例中，所述測試電壓的范圍為1-250V，所述取樣電流的設(shè)定范圍為1-100mA，所述測試電流的設(shè)定范圍為0.01A-20A。

在其中一個實(shí)施例中，所述測試電壓為25V，所述取樣電流為10mA，所述測試電流為2A。

在其中一個實(shí)施例中，還包括在測試過程中維持環(huán)境溫度恒定的步驟。

在其中一個實(shí)施例中，先后注入的所述取樣電流大小相同。

在其中一個實(shí)施例中，所述第一電壓和所述第二電壓是在所述晶體管達(dá)到熱平衡時測得的。

本發(fā)明的垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的測試方法，通過測量VDMOSFET在工作狀態(tài)下發(fā)熱前后漏極和源極之間的電壓變化量，從而可以了解發(fā)熱對VDMOSFET性能的影響，實(shí)現(xiàn)對VDMOSFET的性能進(jìn)行衡量和評估。所述測試方法既可以滿足使用要求，又可以更全面有效地VDMOSFET的整體性能進(jìn)行評測和判定，并且該測試方法簡單易行。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的一種垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的測試方法流程圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例中測試儀器接線框圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例中第一電壓測試過程示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例中晶體管加熱示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例中第二電壓測試過程示意圖；

圖6為采用本發(fā)明測試方法對某型號VDMOSFET進(jìn)行測試的測試結(jié)果圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合具體實(shí)施例對本發(fā)明做進(jìn)一步的說明。

dVDS是VDMOSFET在工作狀態(tài)下漏極D和源極S之間的變化量，dVDS的測試值越大，說明晶體管在工作過程中溫度上升越高，即晶體管的熱阻越大。因此可以通過dVDS的數(shù)值判斷晶體管在工作過程中溫度上升的高低，進(jìn)而判斷晶體管性能的優(yōu)劣。

如圖1所示，一種垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的測試方法，包括以下步驟：

步驟S110，對晶體管施加測試電壓并向所述晶體管的漏極注入取樣電流，得到所述晶體管漏極和源極之間的第一電壓。