[發(fā)明專利]垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的測試方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310367767.3 | 申請日： | 2013-08-21 |
| 公開（公告）號： | CN103499782B | 公開（公告）日： | 2017-02-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 全新;廖志強(qiáng);張貴斌 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳市晶導(dǎo)電子有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司44224 | 代理人： | 鄧云鵬 |
| 地址： | 518101 廣東省深圳市寶安*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 垂直 擴(kuò)散 金屬 氧化物 半導(dǎo)體 場效應(yīng) 晶體管 測試 方法 | ||
1.一種垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的測試方法，其特征在于，包括以下步驟：
對晶體管施加測試電壓并向所述晶體管的漏極注入取樣電流，得到所述晶體管漏極和源極之間的第一電壓；
改為注入測試電流，在給定的測試時間下，對所述晶體管加熱；
改為注入所述取樣電流，得到所述晶體管漏極和源極之間的第二電壓；
將所述第一電壓與所述第二電壓做差，根據(jù)所述第一電壓與所述第二電壓的差值計(jì)算出所述晶體管的熱阻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的測試方法，其特征在于，所述測試電壓的設(shè)定范圍為1-250V，所述取樣電流的設(shè)定范圍為1-100mA，所述測試電流的設(shè)定范圍為0.01A-20A。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的測試方法，其特征在于，所述測試電壓為25V，所述取樣電流為10mA，所述測試電流為2A。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的測試方法，其特征在于，還包括在測試過程中維持環(huán)境溫度恒定的步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的測試方法，其特征在于，先后注入的所述取樣電流大小相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的測試方法，其特征在于，所述第一電壓和所述第二電壓是在所述晶體管達(dá)到熱平衡時測得的。
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