[發明專利]功率半導體元件

無效

• 申請號: 201310367702.9
• 申請日: 2013-08-21
• 公開（公告）號: CN103681824A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 中村和敏;松田正;二宮英彰
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

1.一種功率半導體元件，其特征在于，具備：

第1電極；

第1導電型的第1半導體層，設在上述第1電極之上；

第2導電型的第2半導體層，設在上述第1半導體層之上；

第2導電型的第3半導體層，與上述第2半導體層離開而設在上述第1半導體層之上；

第1導電型的第4半導體層，設在上述第3半導體層之上；

第2電極，設在上述第4半導體層之上，與上述第4半導體層電連接；

第1控制電極，在上述第2半導體層與上述第3半導體層之間、靠近上述第3半導體層側設置；以及

第1絕緣膜，在上述第1半導體層與上述第1控制電極之間、上述第2半導體層與上述第1控制電極之間、以及上述第3半導體層與上述第1控制電極之間設置。

2.如權利要求1所述的功率半導體元件，其特征在于，

還具備設在上述第1控制電極與上述第2半導體層之間、與上述第2電極電連接的第3電極；

上述第1絕緣膜延伸到上述第1半導體層與上述第3電極之間、上述第2半導體層與上述第3電極之間、以及上述第1控制電極與上述第3電極之間。

3.如權利要求2所述的功率半導體元件，其特征在于，

還具備設在上述第1控制電極與上述第3電極之間、與上述第2電極電連接的第4電極；

上述第1絕緣膜延伸到上述第1半導體層與上述第4電極之間、上述第1控制電極與上述第4電極之間、以及上述第2控制電極與上述第4電極之間。

4.如權利要求1所述的功率半導體元件，其特征在于，

上述第2半導體層與上述第1電極之間的距離比上述第3半導體層與上述第1電極之間的距離短。

5.如權利要求1所述的功率半導體元件，其特征在于，

上述第2半導體層處于電浮動的狀態。

6.如權利要求1所述的功率半導體元件，其特征在于，還具備：

第2導電型的第5半導體層，相對于上述第2半導體層向與上述第3半導體層相反側離開而設在上述第1半導體層之上；

第1導電型的第6半導體層，設在上述第5半導體層之上，與上述第2電極電連接；

第2控制電極，在上述第2半導體層與上述第5半導體層之間、靠近上述第5半導體層側設置；以及

第2絕緣膜，在上述第1半導體層與上述第2控制電極之間、上述第2半導體層與上述第2控制電極之間、以及上述第5半導體層與上述第2控制電極之間設置。

7.如權利要求6所述的功率半導體元件，其特征在于，

上述第2半導體層與上述第1電極之間的距離比上述第5半導體層與上述第1電極之間的距離短。

8.如權利要求6所述的功率半導體元件，其特征在于，還具備：

第1導電部，設在上述第1控制電極與上述第2控制電極之間，與上述第2電極電連接；以及

第3絕緣膜，在上述第1半導體層與上述第1導電部之間、以及上述第2半導體層與上述第1導電部之間設置。

9.如權利要求8所述的功率半導體元件，其特征在于，

上述第1絕緣膜與上述第3絕緣膜之間的距離和上述第2絕緣膜與上述第3絕緣膜之間的距離分別是0.5μm以上4μm以下。

10.如權利要求8所述的功率半導體元件，其特征在于，

還具備：

第2導電部，設在上述第1導電部與上述第2控制電極之間；以及

第3導電部，設在上述第1導電部與上述第2導電部之間；

上述第3絕緣膜延伸到上述第1半導體層與上述第2導電部之間、上述第2半導體層與上述第2導電部之間、上述第1半導體層與上述第3導電部之間、上述第1導電部與上述第3導電部之間、以及上述第2導電部與上述第3導電部之間。

11.如權利要求10所述的功率半導體元件，其特征在于，

上述第2導電部及上述第3導電部與上述第2電極電連接。

12.如權利要求10所述的功率半導體元件，其特征在于，

上述第2導電部與上述第2電極電連接；

上述第3導電部與上述第1控制電極電連接。