[發明專利]一種SiC光學材料加工設備

有效

• 申請號: 201310366741.7
• 申請日: 2013-08-21
• 公開（公告）號: CN103456610A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發明（設計）人: 解旭輝;史寶魯;李圣怡;戴一帆;周林;廖春德
• 申請（專利權）人: 中國人民解放軍國防科學技術大學
• 主分類號: H01L21/263
• 分類號: H01L21/263;G02B5/08
• 代理公司: 湖南兆弘專利事務所 43008
• 代理人: 趙洪

1.一種SiC光學材料加工設備，其特征在于：包括電感耦合等離子體發生裝置、工作氣體供給源（8）和反應氣體供給源（9），所述反應氣體供給源（9）中裝有能通過電感耦合等離子體發生裝置激發后與SiC發生化學反應的反應氣體，所述電感耦合等離子體發生裝置包括等離子體炬管（34）和套設于等離子體炬管（34）外的感應線圈（35），所述工作氣體供給源（8）和反應氣體供給源（9）與等離子體炬管（34）相連，所述感應線圈（35）的一端與射頻電源（4）相連，所述感應線圈（35）的另一端通過可調電阻器R1接地。

2.根據權利要求1所述的SiC光學材料加工設備，其特征在于：所述感應線圈（35）與等離子體炬管（34）外壁之間設有屏蔽金屬板（36），所述屏蔽金屬板（36）通過可調電容C3接地。

3.根據權利要求1或2所述的SiC光學材料加工設備，其特征在于：所述感應線圈（35）的一端通過阻抗匹配器（5）與射頻電源（4）相連。

4.根據權利要求1或2所述的SiC光學材料加工設備，其特征在于：所述反應氣體供給源（9）和工作氣體供給源（8）與等離子體炬管（34）的連接線路上設有質量流量控制器（10）。

5.根據權利要求1或2所述的SiC光學材料加工設備，其特征在于：所述等離子體炬管（34）安裝于一具有至少三軸聯動功能的數控運動平臺（2）上。

6.根據權利要求5所述的SiC光學材料加工設備，其特征在于：所述數控運動平臺（2）位于一封閉加工室（1）中，所述封閉加工室（1）連接一尾氣處理裝置（11）。

7.根據權利要求1或2所述的SiC光學材料加工設備，其特征在于：所述工作氣體供給源（8）與等離子體炬管（34）的連接線路上設有點火裝置（6）。

8.根據權利要求1或2所述的SiC光學材料加工設備，其特征在于：所述感應線圈（35）連接一水冷機（7）。

9.根據權利要求1或2所述的SiC光學材料加工設備，其特征在于：所述工作氣體供給源（8）與等離子體炬管（34）的中管和外管相連，所述反應氣體供給源（9）與等離子體炬管（34）的內管相連；或者，所述工作氣體供給源（8）與等離子體炬管（34）的外管相連，所述反應氣體供給源（9）與等離子體炬管（34）的中管相連。

10.根據權利要求1或2所述的SiC光學材料加工設備，其特征在于：所述反應氣體供給源（9）為SF₆氣瓶或NF₃氣瓶或CF₄氣瓶。