[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310366037.1
• 申請日: 2013-08-21
• 公開（公告）號: CN103632925A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王純志;寺原政德
• 申請（專利權(quán)）人: 富士通半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/027
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 石海霞;鄭特強(qiáng)

1.一種半導(dǎo)體器件制造方法，包括：

在半導(dǎo)體襯底上形成保護(hù)膜；

在所述保護(hù)膜上形成第一抗蝕劑圖案；

使用所述第一抗蝕劑圖案作為掩模，將第一雜質(zhì)離子注入到所述半導(dǎo)體襯底中；

移除所述第一抗蝕劑圖案；

在移除所述第一抗蝕劑圖案之后，在所述半導(dǎo)體襯底的表面上形成通過化學(xué)反應(yīng)從所述半導(dǎo)體襯底吸取表面原子的化學(xué)反應(yīng)層；

在形成所述化學(xué)反應(yīng)層之后，移除形成在所述半導(dǎo)體襯底上的所述化學(xué)反應(yīng)層并移除所述半導(dǎo)體襯底的表面；以及

在移除所述半導(dǎo)體襯底的表面之后，在所述半導(dǎo)體襯底的表面上外延生長半導(dǎo)體層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其中移除所述半導(dǎo)體襯底的表面是通過化學(xué)處理實施的。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其中移除所述半導(dǎo)體襯底的表面是通過干蝕刻實施的。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其中注入所述第一雜質(zhì)離子包括注入鍺或硅，并且隨后注入碳。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件制造方法，還包括在注入碳之后，將硼注入到所述半導(dǎo)體襯底中。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其中

形成所述化學(xué)反應(yīng)層包括：

執(zhí)行熱處理；以及

在執(zhí)行所述熱處理之后氧化所述半導(dǎo)體襯底的表面，以及其中

移除所述化學(xué)反應(yīng)層包括移除通過氧化而形成在所述半導(dǎo)體襯底上的氧化物膜。

7.一種半導(dǎo)體器件制造方法，包括：

在半導(dǎo)體襯底上形成保護(hù)膜；

在所述保護(hù)膜上形成第一抗蝕劑圖案；

使用所述第一抗蝕劑圖案作為掩模，將第一雜質(zhì)離子注入到所述半導(dǎo)體襯底中；

移除所述第一抗蝕劑圖案；

在移除所述第一抗蝕劑圖案之后，形成第二抗蝕劑圖案；

使用所述第二抗蝕劑圖案作為掩模，將第二雜質(zhì)離子注入所述半導(dǎo)體襯底中；

移除所述第二抗蝕劑圖案；以及

在移除所述第二抗蝕劑圖案之后，在所述半導(dǎo)體襯底的表面上外延生長半導(dǎo)體層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件制造方法，還包括在移除所述第二抗蝕劑圖案之后，移除所述半導(dǎo)體襯底上的氧化物膜并移除所述半導(dǎo)體襯底的表面。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件制造方法，還包括：

在移除所述第二抗蝕劑圖案之后，在所述半導(dǎo)體襯底的表面上形成通過化學(xué)反應(yīng)從所述半導(dǎo)體襯底吸取表面原子的化學(xué)反應(yīng)層；以及

在形成所述化學(xué)反應(yīng)層之后，移除形成在所述半導(dǎo)體襯底上的所述化學(xué)反應(yīng)層并移除所述半導(dǎo)體襯底的表面。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其中移除所述半導(dǎo)體襯底的表面是通過化學(xué)處理實施的。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其中移除所述半導(dǎo)體襯底的表面是通過干蝕刻實施的。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，

形成所述化學(xué)反應(yīng)層包括：

執(zhí)行熱處理；以及

在執(zhí)行所述熱處理之后，氧化所述半導(dǎo)體襯底的表面，以及其中

移除所述化學(xué)反應(yīng)層包括移除通過氧化而形成在所述半導(dǎo)體襯底上的氧化物膜。

13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其中所述第一雜質(zhì)離子是鍺或硅。

14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其中所述第二雜質(zhì)離子是碳。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件制造方法，還包括在注入所述第二雜質(zhì)離子之后，將硼注入到所述半導(dǎo)體襯底中。

16.一種半導(dǎo)體器件制造方法，包括：

在半導(dǎo)體襯底上形成保護(hù)膜；

在所述保護(hù)膜上形成第一抗蝕劑圖案；

使用所述第一抗蝕劑圖案作為掩模，將第一雜質(zhì)離子注入到所述半導(dǎo)體襯底中；

移除所述第一抗蝕劑圖案；

在移除所述第一抗蝕劑圖案之后，通過干蝕刻移除所述半導(dǎo)體襯底上的氧化物膜并移除所述半導(dǎo)體襯底的表面；以及

在移除所述半導(dǎo)體襯底的表面之后，在所述半導(dǎo)體襯底的表面上外延生長半導(dǎo)體層。