[發明專利]半導體圖形化方法

有效

• 申請號: 201310365836.7
• 申請日: 2013-08-20
• 公開（公告）號: CN104425211B
• 公開（公告）日: 2017-11-03
• 發明（設計）人: 尚飛;何其暘
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種半導體圖形化方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底上具有功能層；

在所述功能層上按預設寬度形成多個犧牲圖案；

獲取所述犧牲圖案的實際寬度和相鄰所述犧牲圖案的實際間距的至少其中之一；

在所述犧牲圖案的側面形成側墻，調控所述側墻的實際寬度或者相鄰所述側墻的實際間距，直至相鄰所述側墻的實際間距相等；

去除所述犧牲圖案；

以所述側墻為掩模蝕刻所述功能層形成功能圖案，調控所述功能層的實際寬度等于所述功能層的預設寬度；

所述犧牲圖案的實際寬度與預設寬度相差范圍在10埃～30埃。

2.如權利要求1所述的半導體圖形化方法，其特征在于，通過調控所述側墻的實際寬度等于所述犧牲圖案的預設寬度與所述側墻的預設寬度之和與所述犧牲圖案的實際寬度之差，或者通過調控所述側墻的實際間距等于所述犧牲圖案的實際寬度，使相鄰所述側墻的實際間距相等。

3.如權利要求1所述的半導體圖形化方法，其特征在于，采用第一次先進制程控制調控所述側墻的實際寬度或者相鄰所述側墻的實際間距。

4.如權利要求3所述的半導體圖形化方法，其特征在于，所述第一次先進制程控制通過調控工藝溫度、時間、氣體組分、氣體流量、氣壓和功率的至少其中之一調控所述側墻的實際寬度或者相鄰所述側墻的實際間距。

5.如權利要求1所述的半導體圖形化方法，其特征在于，采用第二次先進制程控制調控所述功能層的實際寬度。

6.如權利要求5所述的半導體圖形化方法，其特征在于，所述第二次先進制程控制通過調控工藝溫度、時間、氣體組分、氣體流量、氣壓和功率的至少其中之一調控所述功能層的實際寬度。

7.如權利要求1所述的半導體圖形化方法，其特征在于，采用掃描電子顯微鏡或者掃描光學測量設備獲取所述犧牲圖案的實際寬度。

8.如權利要求1所述的半導體圖形化方法，其特征在于，所述犧牲圖案的材料包括無定形碳，所述犧牲圖案的厚度范圍在1000埃～3000埃。

9.如權利要求1所述的半導體圖形化方法，其特征在于，所述側墻的材料包括氧化硅、氮化碳或者氮化硅中的一種或者多種的任意組合，所述側墻的寬度范圍在100埃～500埃。