[發明專利]一種MOS晶體管及其制造方法在審
| 申請號： | 201310365604.1 | 申請日： | 2013-08-20 |
| 公開（公告）號： | CN104425590A | 公開（公告）日： | 2015-03-18 |
| 發明（設計）人： | 王海強;汪銘 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/08;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 mos 晶體管 及其 制造 方法 | ||
1.一種MOS晶體管，其特征在于，包括：
在半導體襯底內的阱區；
嵌于阱區內的柵極；
位于所述阱區內，且位于所述柵極兩側的源極和漏極。
2.如權利要求1所述的MOS晶體管，其特征在于，所述柵極在所述阱區內的深度大于所述源極和漏極的深度。
3.如權利要求2所述的MOS晶體管，其特征在于，所述柵極的深度為所述源極和漏極深度的1～5倍。
4.如權利要求1所述的MOS晶體管，其特征在于，在俯視面，所述源極和漏極位于所述柵極中段部位的兩側。
5.如權利要求1所述的MOS晶體管，其特征在于，還包括設置于所述阱區內，且位于所述柵極兩側的輕摻雜區，所述輕摻雜區的深度小于源極和漏極。
6.如權利要求5所述的MOS晶體管，其特征在于，所述輕摻雜區內注入的離子與所述源極和漏極為相同類型。
7.如權利要求1所述的MOS晶體管，其特征在于，所述柵極的材料為多晶硅。
8.如權利要求7所述的MOS晶體管，其特征在于，所述柵極和半導體襯底之間還包括柵介質層。
9.一種MOS晶體管制造方法，其特征在于，包括：
提供半導體襯底；
向所述半導體襯底內注入離子，形成阱區；
在所述阱區內形成柵極開口，向所述柵極開口內填充滿半導體材料，形成柵極；
在所述阱區內，分別向所述柵極兩側注入離子，形成源極和漏極。
10.如權利要求9所述的MOS晶體管制造方法，其特征在于，在所述柵極開口內填充半導體材料前，還包括：
在所述柵極開口的側壁和底部形成柵介質層。
11.如權利要求10所述的MOS晶體管制造方法，其特征在于，形成所述柵介質層的方法為熱氧化工藝。
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