[發(fā)明專利]電熔絲結(jié)構(gòu)及其使用方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310365603.7
• 申請(qǐng)日: 2013-08-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104425446B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-12-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱志煒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/525
• 分類號(hào): H01L23/525;H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種電熔絲結(jié)構(gòu)，包括：

位于半導(dǎo)體襯底上的多晶硅層；

位于所述多晶硅層上的導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層的兩端部分別為陰極和陽(yáng)極；

其特征在于，所述多晶硅層包括摻雜有P型離子的第一區(qū)域和摻雜有N型離子的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域與第二區(qū)域相鄰設(shè)置，且導(dǎo)電層的陰極投影位于所述第一區(qū)域內(nèi)，陽(yáng)極投影位于所述第二區(qū)域內(nèi)；

所述多晶硅層包括位于兩頭的端部，以及位于兩個(gè)端部之間的中間部，所述中間部的寬度小于所述端部的寬度；所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域分別占所述多晶硅層全部區(qū)域的一半；所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間形成的PN結(jié)位于所述中間部的中間；

所述多晶硅層的厚度為

2.如權(quán)利要求1所述的電熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一區(qū)域的P型離子濃度和第二區(qū)域的N型離子的摻雜劑量為1.0×10¹³/cm²～1.0×10¹⁵/cm²。

3.如權(quán)利要求1所述的電熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一區(qū)域的P型離子濃度和第二區(qū)域的N型離子濃度為10¹⁹～10²¹/cm³。

4.如權(quán)利要求1所述的電熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述P型離子為B，所述N型離子為As或P。

5.如權(quán)利要求1所述的電熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電層還包括位于陰極和陽(yáng)極之間的中間段，所述陰極和陽(yáng)極的寬度大于所述中間段的寬度。

6.如權(quán)利要求5所述的電熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述中間段的寬度為28～45nm，所述陰極和陽(yáng)極的寬度為0.1～0.5μm。

7.如權(quán)利要求1所述的電熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電層為金屬硅化物層。

8.如權(quán)利要求7所述的電熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電層厚度為

9.一種如權(quán)利要求1所述電熔絲結(jié)構(gòu)的使用方法，其特征在于，包括：

所述電熔絲結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域連接電源負(fù)極；

所述電熔絲結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域連接電源正極；

向所述電熔絲結(jié)構(gòu)施加脈沖電壓，熔斷所述電熔絲，以寫(xiě)入信息；

向所述電熔絲結(jié)構(gòu)施加工作電壓，以讀取所寫(xiě)入的信息。

10.如權(quán)利要求9所述的使用方法，其特征在于，所述脈沖電壓為1.5～2.5V。

11.如權(quán)利要求10所述的使用方法，其特征在于，持續(xù)施加所述脈沖電壓的時(shí)間小于10秒。