[發(fā)明專利]提高淺溝道隔離結(jié)構(gòu)窄寬度效應(yīng)的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310365515.7
• 申請日: 2013-08-20
• 公開（公告）號: CN104425338A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙猛;洪中山
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/306;H01L21/311
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種提高淺溝道隔離結(jié)構(gòu)窄寬度效應(yīng)的方法，其特征在于，包括：

提供一半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包含有第一材料層與第二材料層；

在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成氧化層與氮化層；

進行第一次刻蝕，在所述氮化層、氧化層、半導(dǎo)體襯底第一材料層和第二材料層上形成第一淺溝道隔離凹槽；

在所述第一淺溝道隔離凹槽中，對所述半導(dǎo)體襯底第二材料層進行第二次刻蝕，形成第二淺溝道隔離凹槽；

在所述第二淺溝道隔離凹槽中填充隔離材料，并進行平坦化處理；

去除所述氮化層，形成淺溝道隔離結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的提高淺溝道隔離結(jié)構(gòu)窄寬度效應(yīng)的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底第一材料層與第二材料層的材質(zhì)不同。

3.如權(quán)利要求2所述的提高淺溝道隔離結(jié)構(gòu)窄寬度效應(yīng)的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底第一材料層的材質(zhì)為硅、鍺化硅或碳化硅。

4.如權(quán)利要求3所述的提高淺溝道隔離結(jié)構(gòu)窄寬度效應(yīng)的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底第二材料層的材質(zhì)為硅、鍺化硅或碳化硅。

5.如權(quán)利要求4所述的提高淺溝道隔離結(jié)構(gòu)窄寬度效應(yīng)的方法，其特征在于，所述鍺化硅中鍺的摩爾比為0.2～0.45。

6.如權(quán)利要求4所述的提高淺溝道隔離結(jié)構(gòu)窄寬度效應(yīng)的方法，其特征在于，所述碳化硅中碳的摩爾比為0.05～0.2。

7.如權(quán)利要求1所述的提高淺溝道隔離結(jié)構(gòu)窄寬度效應(yīng)的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底第一材料層的厚度為20nm～100nm。

8.如權(quán)利要求1所述的提高淺溝道隔離結(jié)構(gòu)窄寬度效應(yīng)的方法，其特征在于，所述氧化層的厚度為100～400。

9.如權(quán)利要求1所述的提高淺溝道隔離結(jié)構(gòu)窄寬度效應(yīng)的方法，其特征在于，所述第一次刻蝕為濕法刻蝕。

10.如權(quán)利要求4所述的提高淺溝道隔離結(jié)構(gòu)窄寬度效應(yīng)的方法，其特征在于，所述硅或鍺化硅的第二次刻蝕為濕法刻蝕。

11.如權(quán)利要求10所述的提高淺溝道隔離結(jié)構(gòu)窄寬度效應(yīng)的方法，其特征在于，采用氫氟酸對硅進行濕法刻蝕。

12.如權(quán)利要求10所述的提高淺溝道隔離結(jié)構(gòu)窄寬度效應(yīng)的方法，其特征在于，采用醋酸對鍺化硅進行濕法刻蝕。

13.如權(quán)利要求4所述的提高淺溝道隔離結(jié)構(gòu)窄寬度效應(yīng)的方法，其特征在于，所述碳化硅的第二次刻蝕為干法刻蝕。

14.如權(quán)利要求13所述的提高淺溝道隔離結(jié)構(gòu)窄寬度效應(yīng)的方法，其特征在于，采用等離子體對碳化硅進行干法刻蝕。

15.如權(quán)利要求1至14中任意一項所述的提高淺溝道隔離結(jié)構(gòu)窄寬度效應(yīng)的方法，其特征在于，所述氧化層的材質(zhì)為氧化硅，所述氮化層的材質(zhì)為氮化硅，所述隔離材料的材質(zhì)為氧化硅。