[發明專利]半導體裝置、半導體裝置的制造方法無效
| 申請號： | 201310364758.9 | 申請日： | 2013-08-20 |
| 公開（公告）號： | CN104064553A | 公開（公告）日： | 2014-09-24 |
| 發明（設計）人： | 山崎尚 | 申請（專利權）人： | 株式會社東芝 |
| 主分類號： | H01L23/552 | 分類號： | H01L23/552;H01L23/495;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/58 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人： | 陳海紅;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 制造 方法 | ||
1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
在將第1端子、厚度比上述第1端子薄的第2端子在安裝部的周圍間隔開配置的引線框的上述安裝部上載置半導體芯片；
由樹脂將上述半導體芯片及上述引線框密封；
在上述樹脂形成底面位于上述第1端子的上表面和上述第2端子的上表面之間的溝；
填充上述溝，并且，覆蓋上述樹脂的表面，以與上述第1端子電導通并與上述第2端子電絕緣的方式形成導體層；
以填充在上述溝的導體層的截面露出的方式在厚度方向切斷上述樹脂。
2.一種半導體裝置，其特征在于，包括：
將第1端子、厚度比上述第1端子薄的第2端子在安裝部的周圍間隔開配置的引線框；
在上述安裝部安裝的半導體芯片；
密封部件，將上述半導體芯片及上述引線框密封，具有在端面的上述第1端子的上表面和上述第2端子的上表面之間的位置形成的臺階；
導體層，在上述臺階中與上述第1端子的上表面接觸，并覆蓋上述密封部件。
3.一種半導體裝置，其特征在于，包括：
將第1端子、厚度比上述第1端子薄的第2端子在安裝部的周圍間隔開配置的引線框；
在上述安裝部安裝的半導體芯片；
密封部件，將上述半導體芯片及上述引線框密封，具有在上表面使上述第1端子露出的孔、和在端面形成的臺階；
導體層，填充在上述孔內，從上述臺階覆蓋上側的上述密封部件。
4.如權利要求2或3所述的半導體裝置，其特征在于，
上述第1、第2端子的背面從上述密封部件露出。
5.如權利要求2或3所述的半導體裝置，其特征在于，
上述端面是由切割刀片形成的切截面。
6.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
在將第1端子和第2端子在安裝部的周圍間隔開配置的引線框的上述安裝部上載置半導體芯片；
由樹脂將上述半導體芯片及上述引線框密封；
在上述樹脂在底面位于上述第1端子的上表面和上述第2端子的上表面不露出的位置形成溝；
在上述樹脂在上述第1端子的上表面露出的位置形成開口；
填充上述溝和開口，并且，覆蓋上述樹脂的表面，以與上述第1端子電導通并與上述第2端子電絕緣的方式形成導體層；
以填充在上述溝的導體層的截面露出的方式在厚度方向切斷上述樹脂。
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