[發明專利]半導體制造裝置

有效

• 申請號: 201310364645.9
• 申請日: 2013-08-20
• 公開（公告）號: CN103985661B
• 公開（公告）日: 2017-09-08
• 發明（設計）人: 種泰雄;井本孝志
• 申請（專利權）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: H01L21/68
• 分類號: H01L21/68;H01L21/52
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所11247
• 代理人: 陳海紅,段承恩

1.一種半導體制造裝置，其特征在于，包括：

上推機構，將個片化的半導體芯片上推；

拾取機構，拾取由上述上推機構上推的上述半導體芯片；

第1檢測器，檢測經由上述上推機構使半導體芯片上推時的彈性波；

安裝機構，在基板上載置由上述拾取機構拾取的半導體芯片；

第2檢測器，檢測經由上述安裝機構使半導體芯片裝載時的彈性波；

電離器，防止對上述半導體芯片的帶電；

其中，上述上推機構，按照上述第1檢測器檢測的彈性波的大小變更上述半導體芯片的上推速度、上述半導體芯片的上推量及保持上推上述半導體芯片的狀態的保持時間的至少一方，若由上述第1檢測器檢測的彈性波超過第1閾值，則停止操作；

上述安裝機構，按照上述第2檢測器檢測的彈性波的大小變更在上述基板上安裝上述半導體芯片時的按壓壓力及來自上述電離器的風量的至少一方，若由上述第2檢測器檢測的彈性波超過第2閾值，則停止操作。

2.一種半導體制造裝置，其特征在于，包括：

上推機構，將個片化的半導體芯片上推；

拾取機構，拾取由上述上推機構上推的上述半導體芯片；以及

檢測器，檢測經由上述上推機構使半導體芯片上推時的彈性波，

上述上推機構，按照上述檢測器檢測的彈性波的大小變更上述半導體芯片的上推速度、上述半導體芯片的上推量及保持上推上述半導體芯片的狀態的保持時間的至少一方。

3.一種半導體制造裝置，其特征在于，包括：

安裝機構，在基板上載置個片化的半導體芯片；

檢測器，檢測經由上述安裝機構使半導體芯片裝載時的彈性波；以及

電離器，防止對上述半導體芯片的帶電，

上述安裝機構，按照上述檢測器檢測的彈性波的大小變更在上述基板上安裝上述半導體芯片時的按壓壓力及上述電離器的風量的至少一方。

4.如權利要求2或3所述的半導體制造裝置，其特征在于，

若由上述檢測器檢測的彈性波超過閾值，則停止操作。

5.一種半導體制造裝置，包括：

上推機構，將個片化的半導體芯片上推；

拾取機構，拾取由上述上推機構上推的上述半導體芯片；

第1檢測器，檢測經由上述上推機構使半導體芯片上推時的彈性波；

安裝機構，在基板上載置由上述拾取機構拾取的半導體芯片；

第2檢測器，檢測經由上述安裝機構使半導體芯片裝載時的彈性波；以及

電離器，防止對上述半導體芯片的帶電，

其中，上述上推機構，在由上述第1檢測器檢測的彈性波的大小變大的情況下，將上述半導體芯片的上推速度、上述半導體芯片的上推量及保持上推半導體芯片的狀態的保持時間的至少一方變更為，對于上述上推速度以及上述上推量，使其減小，對于上述保持時間，使其變長，若由上述第1檢測器檢測的彈性波超過第1閾值，則停止操作，

上述安裝機構，在由上述第2檢測器檢測的彈性波的大小變大的情況下，將在上述基板上安裝上述半導體芯片時的按壓壓力及來自上述電離器的風量的至少一方變更為，對于上述按壓壓力，使其減小，對于上述風量使其變大，若由上述第2檢測器檢測的彈性波超過第2閾值，則停止操作。

6.一種半導體制造裝置，具備：

上推機構，將個片化的半導體芯片上推；

拾取機構，拾取由上述上推機構上推的上述半導體芯片；以及

檢測器，檢測經由上述上推機構使半導體芯片上推時的彈性波，

上述上推機構，在由上述檢測器檢測的彈性波的大小變大的情況下，將上述半導體芯片的上推速度、上述半導體芯片的上推量及保持上推半導體芯片的狀態的保持時間的至少一方變更為，對于上述上推速度以及上述上推量，使其減小，對于上述保持時間，使其變長。

7.一種半導體制造裝置，具備：

安裝機構，在基板上載置個片化的半導體芯片；

檢測器，檢測經由上述安裝機構使半導體芯片裝載時的彈性波；以及

電離器，防止對上述半導體芯片的帶電，

上述安裝機構，在由上述檢測器檢測的彈性波的大小變大的情況下，將在上述基板上安裝上述半導體芯片時的按壓壓力及來自上述電離器的風量的至少一方變更為，對于上述按壓壓力，使其減小，對于上述風量，使其變大。

8.根據權利要求6或7所述的半導體制造裝置，若由上述檢測器檢測的彈性波超過閾值，則停止操作。