[發明專利]多次可編程的內存

有效

• 申請號: 201310363405.7
• 申請日: 2013-08-20
• 公開（公告）號: CN103633097B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發明（設計）人: 卓榮發;陳學深;林啟榮;郭克文
• 申請（專利權）人: 新加坡商格羅方德半導體私人有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L29/78
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司11314
• 代理人: 程偉,王錦陽

技術領域

本發明有關于一種內存，且尤關于一種多次可編程的內存。

背景技術

舉例為一次性可編程的(one-time?programmable;OTP)NVM的非易失性內存(NVM)電路于程序代碼與數據儲存應用已廣受采用。然而，許多NVM使用浮接柵極作為儲存媒體并且僅可編程一次。因此，無法進行裝置更新。另外，單元(cell)尺寸受限于柵極對柵極限制以及覆蓋容差(overlay?tolerance)。這依次限制了選擇柵極(SG)驅動電流及最小可用柵極長度。

因此，期望提供一種可多次更新的高度可縮放(scalable)裝置。

發明內容

所揭露的是一種裝置。本裝置包括基板及置于基板上的鰭型結構。鰭型結構作用為n個晶體管的共享基體。晶體管包括單獨電荷儲存層與柵極介電層。電荷儲存層置于鰭型結構的上部表面并且柵極介電層置于鰭型結構的側壁上。n=2^x，其中x為大于或等于1的整數。晶體管可在選擇晶體管與儲存晶體管之間互換。

在一具體實施例中，所呈現的是形成裝置的方法。本方法包括提供基板并且形成置于基板上的鰭型結構。鰭型結構作用為n個晶體管的共享基體。晶體管包括單獨電荷儲存層與柵極介電層。電荷儲存層置于鰭型結構的上部表面并且柵極介電層置于鰭型結構的側壁上。n=2^x，其中x為大于或等于1的整數。晶體管可在選擇晶體管與儲存晶體管之間互換。

在又一具體實施例中，所揭露的是多位裝置。多位裝置包括基板以及置于基板上的鰭型結構。鰭型結構作用為串連耦接于第一與第二單元終端之間的n個晶體管的共享基體。晶體管包括單獨電荷儲存層以及柵極介電層。電荷儲存層置于鰭型結構的上部表面并且柵極介電層置于鰭型結構的側壁上。n=2^x，其中x為大于或等于1的整數。晶體管可在選擇晶體管與儲存晶體管之間互換。晶體管包含第一與第二源極/漏極端。第一晶體管的第一源極/漏極端耦接于第一單元終端。最后晶體管的第二源極/漏極端耦接于第二單元終端。相鄰(adjacent)晶體管的第二源極/漏極端及第一源極/漏極端在鰭型結構中形成共享源極/漏極區。

本文所揭露具體實施例的這些及其它優點及特征透過參照底下說明及附圖將變的顯而易知。另外，要理解的是，本文所述各種具體實施例的特征不互斥且可用各種組合與排列存在。

附圖說明

在圖式中，相同的組件符號在各圖標中普遍意指相同的部件。還有，圖式未必依比例繪制，在描述本發明的原理時通常加強重點。在底下的說明中，本發明的各種具體實施例引用下文予以說明

圖1a至圖1b表示內存單元的具體實施例的俯視圖及等角視圖；

圖1c至圖1d表示內存單元的另一具體實施例的俯視圖及等角視圖；

圖2表示內存元的一個具體實施例；

圖3a至圖3c及圖4a至圖4c表示內存單元的不同記憶體操作；

圖5a至圖5b表示內存單元的具體實施例的俯視圖及等角視圖；

圖5c至圖5d表示內存單元的另一具體實施例的俯視圖及等角視圖；

圖6表示內存單元的具體實施例；

圖7a至圖7e表示用于形成裝置或IC的制程具體實施例的剖面圖；

圖8a至圖8b表示用于形成裝置或IC的制程的另一具體實施例的剖面圖；以及

圖9a至圖9b表示用于形成裝置或IC的制程的另一具體實施例的剖面圖。

符號說明

具體實施方式

具體實施例普遍與半導體裝置有關。更尤甚者，某些具體實施例關于內存裝置，如非易失性內存(NVM)裝置。此等內存裝置舉例可合并于獨立(standalone)內存裝置內，如USB或其它類型的可攜式儲存單元或IC，如微控制器或系統芯片(SoCs)。此等裝置或IC可與消費性電子產品合并或搭配使用，或與其它類型的裝置有關。