[發明專利]多次可編程的內存

有效

• 申請號: 201310363405.7
• 申請日: 2013-08-20
• 公開（公告）號: CN103633097B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發明（設計）人: 卓榮發;陳學深;林啟榮;郭克文
• 申請（專利權）人: 新加坡商格羅方德半導體私人有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L29/78
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司11314
• 代理人: 程偉,王錦陽

1.一種裝置，包含：

基板；以及

設置在該基板上的鰭型結構，該鰭型結構作為n個晶體管的共享基體，該等晶體管包含單獨的電荷儲存層和柵極介電層，該等電荷儲存層設置于該鰭型結構的上部表面以及該等柵極介電層設置于該鰭型結構的側壁上，其中，n=2^x，x為大于或等于1的整數，其中，晶體管能在選擇晶體管與儲存晶體管之間互換。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中，該裝置為具有n個位的多位內存單元。

3.根據權利要求1所述的裝置，其中，該晶體管包含n個柵極，柵極可在選擇柵極與控制柵極之間互換。

4.根據權利要求3所述的裝置，其中，該柵極包含環繞該鰭型結構的柵極電極。

5.根據權利要求3所述的裝置，其中，該柵極包含藉由該鰭型結構的側壁而分開的第一與第二子柵極。

6.根據權利要求3所述的裝置，在相鄰于該柵極的該鰭型結構中包含摻雜區。

7.根據權利要求1所述的裝置，其中，該等電荷儲存層包含氧化物-氮化物-氧化物堆疊。

8.一種形成裝置的方法，包含：

提供基板；以及

形成鰭型結構設置在該基板上，該鰭型結構作為n個晶體管的共享基體，該等晶體管包含單獨的電荷儲存層和柵極介電層，該等電荷儲存層設置于該鰭型結構的上部表面以及該等柵極介電層設置于該鰭型結構的側壁上，其中，n=2^x，x為大于或等于1的整數，其中，晶體管可在選擇晶體管與儲存晶體管之間互換。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，該裝置為具有n個位的多位內存單元。

10.根據權利要求8所述的方法，其中，該晶體管包含n個柵極，柵極可在選擇柵極與控制柵極之間互換。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，該柵極包含環繞該鰭型結構的柵極電極。

12.根據權利要求10所述的方法，其中，該柵極包含藉由該鰭型結構的側壁而分開的第一與第二子柵極。

13.根據權利要求8所述的方法，包含在該等電荷儲存層的側壁上形成保護層。

14.根據權利要求13所述的方法，其中，該等電荷儲存層包含氧化物-氮化物-氧化物堆疊。

15.根據權利要求8所述的方法，包含在相鄰于該柵極的該鰭型結構中形成摻雜區。

16.根據權利要求15所述的方法，其中，該等摻雜區包含耦接于選擇線和位線的源極/漏極區。

17.一種多位裝置，包含：

基板；

設置于該基板上的鰭型結構，該鰭型結構作為串連耦接于第一與第二單元終端之間的n個晶體管的共享基體，該等晶體管包含單獨的電荷儲存層和柵極介電層，該等電荷儲存層設置于該鰭型結構的上部表面以及該等柵極介電層設置于該鰭型結構的側壁上，其中，n=2^x，x為大于或等于1的整數，其中，晶體管可在選擇晶體管與儲存晶體管之間互換，

其中，晶體管包含第一與第二源極/漏極終端，該第一晶體管的第一源極/漏極終端耦接于該第一單元終端，該最后晶體管的第二源極/漏極終端耦接于該第二單元終端，相鄰晶體管的第二源極/漏極終端和第一源極/漏極終端在該鰭型結構中形成共享源極/漏極區。

18.根據權利要求17所述的多位裝置，其中，晶體管包含n個柵極，柵極可在選擇柵極與控制柵極之間互換。

19.根據權利要求18所述的多位裝置，其中，該晶體管包含環繞該鰭型結構的柵極電極。

20.根據權利要求18所述的多位裝置，其中，該柵極包含藉由該鰭型結構的側壁而分開的第一與第二子柵極。