[發明專利]光致抗蝕劑剝離液組合物有效
| 申請號: | 201310363319.6 | 申請日: | 2013-08-20 |
| 公開(公告)號: | CN103631103B | 公開(公告)日: | 2019-07-19 |
| 發明(設計)人: | 許舜范;金炳郁;趙泰杓;尹錫壹;鄭世桓;張斗瑛;樸善周 | 申請(專利權)人: | 株式會社東進世美肯 |
| 主分類號: | G03F7/42 | 分類號: | G03F7/42 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 鐘晶;於毓楨 |
| 地址: | 韓國仁*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光致抗蝕劑 剝離 組合 | ||
本發明涉及一種可以替代以往常用的對人體有害的NMP等溶劑類,并包含剝離能力優秀的N,N?二甲基丙酰胺的光致抗蝕劑剝離液組合物。
技術領域
本發明涉及一種使用環狀胺類、極性溶劑類及非極性溶劑類的雙組分以上的光致抗蝕劑剝離液組合物。
背景技術
光致抗蝕劑(photo-resist)是照相平版印刷工藝中不可缺少的材料,而照相平版印刷工藝是用于制造集成電路(Integrated circuit,IC)、大規模集成電路(large scaleintegration,LSI)、超大規模集成電路(very large scale integration,VLSI)等半導體裝置和液晶顯示器(Liquid crystal display,LCD)、等離子體顯示器(plasma displaydevice,PDP)等圖像顯示裝置的常用工藝之一。
照相平板印刷工藝(photo-lithography processing)結束之后,光致抗蝕劑在高溫下被剝離溶液去除,在此過程中光致抗蝕劑被去除的同時,下層金屬膜會被剝離溶液腐蝕。因此,需要一種具有出色的光致抗蝕劑去除效果,并且可將金屬膜的腐蝕降到最低的方法。
現有的一般光致抗蝕劑剝離液組合物以胺、溶劑類為基礎,或者進一步加入防腐劑等添加劑。
例如,現有的光致抗蝕劑剝離液組合物包含單乙醇胺等鏈狀胺、NMP、DMSO等非質子溶劑及/或乙二醇類質子溶劑。
即,現有的光致抗蝕劑剝離液組合物作為主溶劑使用NMF(N-methylformamide)、NMP(N-methylpyrrolidone)等非質子溶劑,這種溶劑雖然具有剝離能力出色的優點,但是也具有對環境或者人體有害的缺點。而且,若使用以往的非質子極性溶劑,雖能使光致抗蝕劑(PR)易于溶解,但是存在水洗時PR重新析出的問題。
因此,需要開發出一種溶劑來替代存在諸多問題的所述非質子極性溶劑。
發明內容
本發明的目的在于提供一種可替代以往的非質子溶劑類,從而降低對環境和人體的危害,且剝離及清洗能力出色、防腐能力也優秀的光致抗蝕劑剝離液組合物。
本發明提供一種光致抗蝕劑剝離液組合物,包含:10至85重量%的N,N-二甲基丙酰胺(N,N-Dimethyl Propionamide)、1至30重量%的環狀胺類、10至85重量%的質子極性溶劑、及0至50重量%的超純水。
而且,優選地,本發明的光致抗蝕劑剝離液組合物,包含:10至65重量%的N,N-二甲基丙酰胺、1至15重量%的環狀胺類、10至68重量%的質子極性溶劑、及20至40重量%的超純水。
下面,詳細說明本發明。
本發明涉及一種光致抗蝕劑剝離液組合物,具體地涉及一種使用胺類、極性溶劑類及非極性溶劑類的雙組分以上的光致抗蝕劑剝離液組合物。
尤其,本發明提供一種作為可替代以往的NMF、NMP等的溶劑,使用N,N-二甲基丙酰胺的光致抗蝕劑剝離液組合物。本發明即使不用以往的NMP等非質子溶劑,也可提供剝離效果出色的剝離液組合物。而且,本發明的優點在于提供一種可降低對環境和人體的危害,并且清洗能力優秀在清洗工藝中不會出現PR析出問題,也不會發生金屬腐蝕的光致抗蝕劑剝離液組合物。
因此,在本發明中可用N,N-二甲基丙酰胺來替代所述溶劑類。
根據本發明的一具體實施例,提供一種光致抗蝕劑剝離液組合物,包含:10至85重量%的N,N-二甲基丙酰胺、1至30重量%的環狀胺類、10至85重量%的質子極性溶劑、及0至50重量%的超純水。
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