[發(fā)明專利]用于測量瓦片狀磁體元件的磁偏角的方法及設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310363283.1
• 申請日: 2013-08-20
• 公開（公告）號: CN103412267A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃可可
• 申請（專利權(quán)）人: 黃可可
• 主分類號: G01R33/02
• 分類號: G01R33/02
• 代理公司: 寧波奧圣專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33226
• 代理人: 程曉明

1.一種用于測量瓦片狀磁體元件的磁偏角的方法，其特征在于包括以下步驟：

①選取一個磁偏角為合格范圍的上限值的未充磁的瓦片狀磁體元件作為基準(zhǔn)件；

②將基準(zhǔn)件放置在一塊由非導(dǎo)磁材料制成的水平板上，基準(zhǔn)件的凹面朝上且左右兩端保持水平，將此時左右兩端的頂點(diǎn)的連接線設(shè)定為基準(zhǔn)線；

③在基準(zhǔn)件的正上方施加垂直向下或向上的磁場，基準(zhǔn)件的左端或者右端發(fā)生偏轉(zhuǎn)向上翹起；

④檢測基準(zhǔn)件向上翹起的一端相對于基準(zhǔn)線偏轉(zhuǎn)的高度；

⑤取下基準(zhǔn)件；

⑥將未充磁的瓦片狀磁體元件待測產(chǎn)品凹面朝上放置在水平板上，待測產(chǎn)品的左右兩端位于基準(zhǔn)線上，對待測產(chǎn)品施加垂直向下的磁場；

⑦檢測待測產(chǎn)品向上翹起的一端相對于基準(zhǔn)線偏轉(zhuǎn)的高度，將待測產(chǎn)品相對于基準(zhǔn)線偏轉(zhuǎn)的高度與基準(zhǔn)件相對于基準(zhǔn)線偏轉(zhuǎn)的高度進(jìn)行比較，如果待測產(chǎn)品相對于基準(zhǔn)線偏轉(zhuǎn)的高度小于基準(zhǔn)件相對于基準(zhǔn)線偏轉(zhuǎn)的高度，則該待測產(chǎn)品的磁偏角合格，反之不合格；

⑧重復(fù)步驟⑥和⑦，對一批次的待測產(chǎn)品進(jìn)行檢測。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于測量瓦片狀磁體元件的磁偏角的方法，其特征在于所述的步驟④中采用光柵檢測基準(zhǔn)件向上翹起的一端相對于基準(zhǔn)線偏轉(zhuǎn)高度，所述的步驟④之后所述的步驟⑤之前還有測試基板的設(shè)置步驟，具體為：在基準(zhǔn)件向上翹起的一端的頂點(diǎn)處設(shè)置一測試基板，所述的測試基板的下端面為水平面且與基準(zhǔn)件向上翹起的一端的頂點(diǎn)位于一個水平面上，當(dāng)待測產(chǎn)品向上翹起的一端的頂點(diǎn)低于所述的測試基板的下端面時，表示待測產(chǎn)品相對于基準(zhǔn)線偏轉(zhuǎn)的高度小于基準(zhǔn)件相對于基準(zhǔn)線偏轉(zhuǎn)的高度，當(dāng)待測產(chǎn)品向上翹起的一端的頂點(diǎn)與所述的測試基板的下端面接觸時，表示待測產(chǎn)品相對于基準(zhǔn)線偏轉(zhuǎn)的高度大于基準(zhǔn)件相對于基準(zhǔn)線偏轉(zhuǎn)的高度。

3.一種使用權(quán)利要求1所述的用于測量瓦片狀磁體元件的磁偏角的方法的設(shè)備，其特征在于包括水平板、測試基板和垂直向下的磁場，所述的磁場位于所述的水平板的正上方，所述的測試基板設(shè)置在所述的水平板的正上方且高度可調(diào)，所述的測試基板的下端面為水平面。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種用于測量瓦片狀磁體元件的磁偏角的設(shè)備，其特征在于所述的測試基板處設(shè)置有光柵及聲光報警裝置，所述的光柵與所述的聲光報警裝置連接，在磁場作用下，當(dāng)待測產(chǎn)品的一端向上翹起與所述的測試基板的下端面接觸時，所述的聲光報警裝置報警，顯示待測產(chǎn)品不合格，當(dāng)待測產(chǎn)品的一端向上翹起后與所述的測試基板的下端面不接觸時，所述的聲光報警裝置不報警，顯示待測產(chǎn)品不合格。