[發(fā)明專利]高壓器件HCI測試電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310363118.6 | 申請日: | 2013-08-20 |
| 公開(公告)號: | CN104422873A | 公開(公告)日: | 2015-03-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曹剛;葛艷輝 | 申請(專利權(quán))人: | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號: | G01R31/28 | 分類號: | G01R31/28;G01R31/26 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁紀(jì)鐵 |
| 地址: | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 高壓 器件 hci 測試 電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路,特別是指一種高壓器件HCI測試電路。
背景技術(shù)
近年來集成了高壓器件的集成電路被廣泛用于如LCD驅(qū)動電路、接口電路和智能電源管理芯片電路等。同時高壓器件由于工作在較高的電壓下,很容易形成較高的溝道橫向電場和氧化層縱向電場,使得載流子在輸運(yùn)過程中產(chǎn)生碰撞電離,產(chǎn)生額外的電子空穴對,部分熱載流子注入柵氧化層,使得器件的閾值電壓上升,飽和電流和載流子遷移率下降等,稱之為HCI效應(yīng)(熱載流子注入)。HCI使器件不能在電路中正常工作,因此深入研究高壓器件的熱載流子可靠性問題是十分必要的。在傳統(tǒng)的高壓器件的結(jié)構(gòu)HCI測試過程中,一旦源漏端產(chǎn)生大的電流,強(qiáng)負(fù)載下電壓又較高,很容易燒壞器件和測試針卡,導(dǎo)致測試無法進(jìn)行,無法測出高壓器件老化后的各項(xiàng)電性參數(shù)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種高壓器件HCI測試電路,具有強(qiáng)電流自我保護(hù)的功能。
為解決上述問題,本發(fā)明所述的一種高壓器件HCI測試電路,包含一電源、一待測高壓器件、一保護(hù)管以及一電壓表;
所述待測高壓器件的漏極接保護(hù)管的源極,保護(hù)管的漏極接電源正極,待測高壓器件的源極接電源負(fù)極;
待測高壓器件的柵極及保護(hù)管的柵極各自接測試電壓;
所述電壓表跨接在待測高壓器件的源漏兩端,與待測高壓器件形成并聯(lián)。
進(jìn)一步地,所述的保護(hù)管為通過電流能力為5~20倍于待測高壓器件的同類高壓器件。
本發(fā)明所述的高壓器件HCI測試電路,通過串聯(lián)一個通過電流能力為5~20倍于待測高壓器件的保護(hù)管,在具備產(chǎn)生大電流的條件時,電壓將會加在保護(hù)管上,從而阻止了大電流的產(chǎn)生,保護(hù)了待測高壓器件,不會引起待測高壓器件的燒毀或探針卡的損壞,具有自我保護(hù)的功能,得到真實(shí)可靠的測試數(shù)據(jù)。
附圖說明
圖1是本發(fā)明所述的高壓器件HCI測試電路。
附圖標(biāo)記說明
T1是待測高壓器件,T2是保護(hù)管。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明所述的高壓器件HCI測試電路如圖1所示,包含一電源、一待測高壓器件T1、一保護(hù)管T2以及一電壓表;
所述待測高壓器件T1的漏極接保護(hù)管T2的源極,保護(hù)管T2的漏極接電源正極,待測高壓器件T1的源極接電源負(fù)極;
待測高壓器件的柵極及保護(hù)管的柵極各自接測試電壓;
所述電壓表跨接在待測高壓器件T1的源漏兩端,與待測高壓器件T1形成并聯(lián)。
保護(hù)管T2為與待測高壓器件T1同類型的高壓器件,其電流通過能力為待測高壓器件T1的5~20倍,電阻約為待測高壓器件T1的0.05-0.2倍。待測高壓器件T1并聯(lián)的電壓表可以用來精確測量高壓器件T1漏端所加的測試電壓。在評價高壓器件的HCI測試中,在正常情況下,由于保護(hù)管T2的電阻為待測高壓器件T1的0.05~0.2倍,保護(hù)管T2的電阻較小、分壓較小,不對整個測試電路產(chǎn)生較大影響。但是,當(dāng)待測高壓器件T1出現(xiàn)問題的時候,比如在強(qiáng)負(fù)載一段時間之后,由于高壓器件的散熱較難,器件性能退化,導(dǎo)致襯底電流持續(xù)變大,器件的寄生三極管被觸發(fā),使PN結(jié)導(dǎo)通或擊穿,待測高壓器件T1的電阻會急劇變小,在源漏端之間會產(chǎn)生較強(qiáng)的電流;這時,保護(hù)管T2的電阻會大于此異常狀態(tài)下的待測高壓器件T1的電阻,在整個測試回路中起到了限流和分壓的左右,承擔(dān)大部分的高壓。流經(jīng)待測高壓器件T1的電壓和電流都得到控制,得到保護(hù),不被高壓大電流燒壞。對于起限流和分壓作用的保護(hù)管T2需要足夠強(qiáng)壯,自身不能被破壞,所以采用和待測高壓器件T1相同的器件,能夠耐受高壓,它的電流能力5~20倍于待測高壓器件T1,能夠承受較大電流,不會引起待測高壓器件的燒毀或探針卡的損壞,使得到的測試數(shù)據(jù)真實(shí)可靠。
同時,在HCI的測試過程中,待測高壓器件T1、保護(hù)管T2的柵極所加電壓不同,使器件的工作狀態(tài)也不同:待測高壓器件T1是被測元件,需要工作在HCI效應(yīng)最明顯的條件,其柵壓一般在1/2Vgmax,這樣,待測高壓器件T1會隨著時間性能明顯退化,有可能被觸發(fā)進(jìn)入異常狀態(tài);保護(hù)管T2是工作在飽和狀態(tài)這樣,保護(hù)管T2一般隨著時間性能退化現(xiàn)象不明顯。
以上僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例,并不用于限定本發(fā)明。對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說,本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
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