[發明專利]減小高電子遷移率晶體管源漏區域歐姆接觸電阻率的方法

無效

• 申請號: 201310363053.5
• 申請日: 2013-08-20
• 公開（公告）號: CN103426740A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 孔欣;魏珂;劉新宇;劉果果
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/335
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種減小高電子遷移率晶體管源漏區域歐姆接觸電阻率的方法，其特征在于，該方法是在源漏區域光刻之后，通過對源漏區域進行選擇性刻蝕，通過刻蝕勢壘層減小勢壘層厚度，隨后蒸發源漏金屬并剝離后再采用高溫快速熱退火工藝形成歐姆接觸，在不對二維電子氣造成過分損傷的情況下從物理上減小載流子的隧穿距離，提升隧穿效率，獲得低歐姆接觸電阻率。

2.根據權利要求1所述的減小高電子遷移率晶體管源漏區域歐姆接觸電阻率的方法，其特征在于，該方法具體包括以下步驟：

步驟1：使用光刻膠在晶片上光刻出高電子遷移率晶體管的源漏區域，使用感應等離子耦合刻蝕對源漏區域勢壘層進行低損傷刻蝕，使勢壘層厚度緩慢減薄到10納米；

步驟2：使用稀鹽酸溶液處理刻蝕后的晶片，去除工藝過程中可能產生并附著在晶片表面的氧化物；

步驟3：淀積源漏金屬、剝離及快速熱退火，完成整個過程。

3.根據權利要求2所述的減小高電子遷移率晶體管源漏區域歐姆接觸電阻率的方法，其特征在于，所述步驟1包括：

在晶片上勻AZ5214光刻膠，厚度1.2μm，100℃熱板真空烘烤90秒；

對晶片上的AZ5214光刻膠進行紫外線曝光，前曝7秒，115℃熱板反轉90秒，泛曝67秒；然后AZ顯影液顯影60秒，氮氣吹干；

堅膜；

刻蝕歐姆區域的AlGaN勢壘層，，使勢壘層厚度緩慢減薄到10納米。

4.根據權利要求3所述的減小高電子遷移率晶體管源漏區域歐姆接觸電阻率的方法，其特征在于，所述紫外線曝光，光強為5mW/cm²。

5.根據權利要求3所述的減小高電子遷移率晶體管源漏區域歐姆接觸電阻率的方法，其特征在于，所述堅膜，是100℃真空熱板2分鐘，然后Matrix打底膠2分鐘。

6.根據權利要求3所述的減小高電子遷移率晶體管源漏區域歐姆接觸電阻率的方法，其特征在于，所述刻蝕歐姆區域的AlGaN勢壘層的刻蝕條件為：P＝0.10Pa，RF＝14W，ICP＝50W，BCl₃＝2.5sccm，Cl₂＝8sccm，Bias＝-65V，刻蝕速率為8nm/分鐘。

7.根據權利要求2所述的減小高電子遷移率晶體管源漏區域歐姆接觸電阻率的方法，其特征在于，步驟3中所述快速熱退火，是在870℃下退火50秒。