[發(fā)明專利]Cu2-xSe納米晶片的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310362892.5 | 申請日： | 2013-08-19 |
| 公開（公告）號： | CN104418311A | 公開（公告）日： | 2015-03-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王鑫 | 申請（專利權(quán)）人： | 天津恒電空間電源有限公司;中國電子科技集團(tuán)公司第十八研究所 |
| 主分類號： | C01B19/04 | 分類號： | C01B19/04;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 天津市鼎和專利商標(biāo)代理有限公司 12101 | 代理人： | 李鳳 |
| 地址： | 300384 天津市濱海*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | cu sub se 納米 晶片 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于金屬硒屬化合物材料技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種Cu2-xSe納米晶片的制備方法。
背景技術(shù)
近年來納米無機(jī)半導(dǎo)體因其大小形狀對物理和化學(xué)性質(zhì)的影響而引起更多的研究興趣。金屬硒屬化合物材料在光學(xué)、光電子學(xué)、催化劑、生物傳感器的應(yīng)用程序是很有前途（參見Lijuan?Zhao,Linfeng?Hu,and?Xiaosheng?Fang,Adv.Funct.Mater.22,1551和S.P.Gubin,N.A.Kataeva,and?G.B.Khomutov，Russian?Chemical?Bulletin.54,827）。
Cu2-xSe作為一種I–VI族的半導(dǎo)體化合物，是一種P型半導(dǎo)體且具有獨(dú)特的光電性能。因為在電子、光電設(shè)備上具有的廣泛應(yīng)用，而受到了大家關(guān)注。硒化銅被廣泛應(yīng)用于太陽能電池的濾光片、光電轉(zhuǎn)換、熱電、納米開關(guān)、超離子導(dǎo)體材料、傳感器和激光材料領(lǐng)域（參見Yan?Zhang,Chenguo?Hu,Chunhua?Zheng,Yi?Xi,and?Buyong?Wan.Synthesis?and?Thermoelectric?Property?of?Cu2-x?Se?Nanowires,J.Phys.Chem.C.2010,114,14849–14853）。Cu2-xSe的化學(xué)計量比在一定范圍內(nèi)可調(diào)，其電學(xué)、光學(xué)性能也隨之變化，這使之可能成為一種優(yōu)秀的光電轉(zhuǎn)換太陽能電池材料，具有光催化作用。這種材料也因為具有和銦的硒化物反應(yīng)生成三元CuInSe2材料的可能性而受關(guān)注。
目前，有人采用熱注法制備出分散性好、形貌均一的Cu2-xSe納米晶。在比較成功的制備實(shí)驗中，大多使用油胺、十八烯等有機(jī)溶劑，以有利于硒粉的溶解、反應(yīng)（參見Dirk?Dorfs,Thomas?Hartling,Karol?Miszta,Nadja?C.Bigall,Mee?Rahn?Kim,Alessandro?Genovese,Andrea?Falqui,Mauro?Povia,and?Liberato?Manna,J.Am.Chem.Soc.133,11175和Yi?Liu,Qingfeng?Dong,Haotong?Wei,Yang?Ning,Haizhu?Sun,Wenjing?Tian,Hao?Zhang,and?Bai?Yang,J.Phys.Chem.C.115,9909）。但是，這類有機(jī)溶劑成本高、有污染、加熱時需要采取持續(xù)的保護(hù)措施，不利于大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為解決公知技術(shù)中存在的技術(shù)問題而提供一種低成本、無污染、工藝簡單、易于控制，利于大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)，并且分散性好、形貌均一、結(jié)晶度高的Cu2-xSe納米晶片的制備方法。
本發(fā)明采取的技術(shù)方案是：
Cu2-xSe納米晶片的制備方法，其特點(diǎn)是：包括以下制備過程：
⑴配制銅前軀體溶液
將無機(jī)銅鹽溶解到多元醇溶劑中，形成銅前驅(qū)體溶液；
⑵配制硒前驅(qū)體溶液
將Se粉和PVP溶劑注入盛有三乙二醇多元醇溶劑的容器中，加入乙二胺還原劑，惰性氣氛下加熱至180℃以上，Se粉完全溶解后，形成硒前驅(qū)體溶液；
⑶注入回流
繼續(xù)加熱硒前驅(qū)體溶液至210℃以上作為注入溫度，將銅前驅(qū)體溶液與硒前驅(qū)體溶液進(jìn)行反應(yīng)；調(diào)節(jié)注入溫度至150℃以上作為回流溫度，保持5min-2h作為回流時間，然后將反應(yīng)容器置于常溫水中，猝滅其反應(yīng)過程，反應(yīng)容器中出現(xiàn)Cu2-xSe納米晶片（其中X為0.1-0.2）；
⑷分離
分離掉反應(yīng)容器中的液體，得到固態(tài)Cu2-xSe納米晶片；對Cu2-xSe納米晶片進(jìn)行洗滌、液體脫離，完成本發(fā)明Cu2-xSe納米晶片的制作過程。
本發(fā)明還可以采用如下技術(shù)措施：
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于天津恒電空間電源有限公司;中國電子科技集團(tuán)公司第十八研究所，未經(jīng)天津恒電空間電源有限公司;中國電子科技集團(tuán)公司第十八研究所許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
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