[發明專利]顯示裝置、陣列基板、像素結構及制作方法

無效

• 申請號: 201310362394.0
• 申請日: 2013-08-19
• 公開（公告）號: CN103487982A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 趙利軍
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1335
• 分類號: G02F1/1335;G02F1/1333
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

1.一種像素結構，包括薄膜晶體管及用于形成電場的第一電極，其特征在于，所述像素結構還包括黑矩陣層，所述黑矩陣層位于所述薄膜晶體管和所述第一電極之間。

2.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述像素結構還包括第二電極和第一絕緣層，所述第一絕緣層形成于第二電極上，所述第一電極形成于所述第一絕緣層上，所述第二電極與所述薄膜晶體管的漏電極連接。

3.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，在形成所述薄膜晶體管的柵極的同時，還形成有用于與所述第一電極形成電場的第三電極，所述第一電極與所述薄膜晶體管的漏電極連接。

4.如權利要求2所述的像素結構，其特征在于，所述第一電極為狹縫電極，所述第二電極為板狀電極；或者，

所述第一電極與所述第二電極均為狹縫電極。

5.如權利要求3所述的像素結構，其特征在于，所述第一電極為狹縫電極，所述第三電極為板狀電極；或者，

所述第一電極與所述第三電極均為狹縫電極。

6.如權利要求2或3任一項所述的像素結構，其特征在于，所述薄膜晶體管的結構自下而上為：柵極、第二絕緣層、有源層和源、漏電極，所述源、漏電極上形成所述黑矩陣。

7.如權利要求2或3任一項所述的像素結構，其特征在于，所述薄膜晶體管中的結構自下而上為：源電極、漏電極、有源層、第二絕緣層、柵極，所述柵極上形成所述黑矩陣。

8.一種像素結構制作方法，其特征在于，該方法包括：

在基板上制作薄膜晶體管；

在所述薄膜晶體管上方制作黑矩陣層；

在所述黑矩陣層上制作第一電極。

9.一種像素結構制作方法，其特征在于，該方法包括：

在基板上制作薄膜晶體管；

在所述薄膜晶體管上方制作黑矩陣層；

在黑矩陣層上制作第二電極，將所述第二電極與所述薄膜晶體管的漏電極連接；

在所述第二電極上制作第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上制作第一電極。

10.一種像素結構制作方法，其特征在于，

在基板上制作薄膜晶體管，在制作所述薄膜晶體管柵極的同時，制作第三電極；

在所述薄膜晶體管上方制作黑矩陣層；

在所述黑矩陣層上制作第一電極，將所述第一電極與所述薄膜晶體管的漏電極連接。

11.一種陣列基板，包括柵線、數據線，以及由柵線、數據線圍成的像素結構，其特征在于，所述像素結構為權利要求1-7任意一項所述的像素結構。

12.如權利要求11所述的陣列基板，其特征在于，所述柵線、數據線上也形成有黑矩陣層。

13.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括所述權利要求11或12任意一項所述的陣列基板。