[發(fā)明專利]基板處理方法

無效

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• 申請日: 2013-08-19
• 公開（公告）號: CN103676501A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設計）人: 李暢源
• 申請（專利權）人: PSK有限公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42;H01L21/027
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發(fā)明涉及半導體的制造方法，尤其涉及一種去除基板上的光阻劑圖案的基板處理方法。

背景技術

一般而言，半導體元件可以由光刻制程、蝕刻制程、沉積制程和/或離子注入制程的單位制程制造。光刻制程是在基板上形成光阻劑圖案的制程。光阻劑圖案可以用作使基板有選擇地曝光的掩膜圖案。光阻劑圖案可在離子注入制程或蝕刻制程后利用諸如灰化的基板處理方法去除。

但是，在離子注入制程中，在光阻劑圖案上會導致比蝕刻制程更多量的副產物。例如，在光阻劑圖案上導致導電性雜質層或氧化硅膜。但實際情況是，利用以往的基板處理方法難以從光致抗蝕劑圖案上將導電性雜質層或氧化硅膜去除干凈。

發(fā)明內容

[要解決的技術課題]

本發(fā)明要實現的技術課題在于提供一種能夠可靠地去除光阻劑圖案上的導電性雜質層或氧化硅膜的基板處理方法。

[解決課題的技術手段]

本發(fā)明實施例的基板處理方法，作為去除基板上的光阻劑圖案的方法，該方法包括：第一表皮層去除步驟，向腔室內提供第一反應氣體及第二反應氣體，在比常溫高的第一溫度下，去除該光致抗蝕劑圖案上的第一表皮層；第二表皮層去除步驟，將該第一反應氣體或該第二反應氣體中的任一者提供至該腔室內，在比該第一溫度高的第二溫度下，去除該光阻劑圖案上的第二表皮層；以及光致抗蝕劑圖案去除步驟，持續(xù)向該腔室內供應該第二反應氣體，并在該第二溫度以上的第三溫度下，從該基板去除該光致抗蝕劑圖案。

根據本發(fā)明的一實施例，第一表皮層去除步驟可包括：副產物形成步驟，在不足該第一溫度的溫度下，使該第一反應氣體及該第二反應氣體與該第一表皮層反應，在該第二表皮層上形成副產物；以及副產物升華步驟，將該基板加熱至第一溫度，使該副產物升華。該第一溫度可為80度。該第一表皮層可包括氧化硅膜。

根據本發(fā)明的另一實施例，該第二溫度可為攝氏80度至攝氏140度。

根據本發(fā)明的一實施例，該第三溫度可為攝氏140度。

根據本發(fā)明的另一實施例，該第一反應氣體可包括氫氟酸、三氟化氮或六氟化硫。

根據本發(fā)明的一實施例，該第二反應氣體可包括氫氣或氨氣。

根據本發(fā)明的另一實施例，該第一表皮層去除步驟可以向該腔室內提供與該第一反應氣體混合的氮氣。

根據本發(fā)明的一實施例，該第二表皮層去除步驟可以提供與該第二反應氣體混合的氧氣。

[發(fā)明效果]

根據本發(fā)明的實施例，可于比常溫高的第一溫度下，利用氟成份的第一反應氣體去除基板上的第一表皮層；在比第一溫度高的第二溫度下，利用氨氣或氫氣的第二反應氣體去除該第一表皮層下的第二表皮層；在比第二溫度高的第三溫度下，利用該第二反應氣體去除第二表皮層下的光阻劑圖案。第一表皮層可包括氧化硅膜。第一反應氣體的氟成份能夠使第一表皮層的氧化硅膜以比基板、第二表皮層及光阻劑圖案更高的選擇比去除。之后，第二表皮層及光阻劑圖案可通過第二反應氣體從基板上被干凈地去除。

因此，本發(fā)明實施例的基板處理方法能夠可靠地去除氧化硅膜。

附圖說明

圖1為示出用于說明本發(fā)明的基板處理方法的基板處理裝置的圖。

圖2為示出本發(fā)明實施例的基板處理方法的流程圖。

圖3至圖7為示出根據圖2的基板處理方法去除的光阻劑圖案、第二表皮層及第一表皮層的制程剖面圖。

圖8及圖9為概略地示出集群型的基板處理系統(tǒng)的圖。

100????處理腔室

110????加熱器

112????基板

114????光阻劑圖案

116????第二表皮層

117????副產物層

118????第一表皮層

120????升降銷

130????擋板

131????上部區(qū)域

132????活化區(qū)域

133????下部區(qū)域

134????反應區(qū)域

140????真空泵

150????第一處理腔室

160????第二處理腔室

200????氣體供應部

210????氣體供應部

220????第一反應氣體供應部

230????第二反應氣體供應部

240????閥

300????控制部

400????基板移送模塊

410????晶圓傳送盒