[發(fā)明專利]基板處理方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310362359.9 | 申請日： | 2013-08-19 |
| 公開（公告）號： | CN103676501A | 公開（公告）日： | 2014-03-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李暢源 | 申請（專利權(quán)）人： | PSK有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/42 | 分類號： | G03F7/42;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 處理 方法 | ||
1.一種用于去除基板上的光阻劑圖案的基板處理方法，包括：
第一表皮層去除步驟，向腔室內(nèi)提供第一反應(yīng)氣體及第二反應(yīng)氣體，在比常溫高的第一溫度下，去除所述光阻劑圖案上的第一表皮層；
第二表皮層去除步驟，將所述第一反應(yīng)氣體或所述第二反應(yīng)氣體中的任一者提供至所述腔室內(nèi)，在比所述第一溫度高的第二溫度下，去除所述光阻劑圖案上的第二表皮層；以及
光阻劑圖案去除步驟，持續(xù)向所述腔室內(nèi)供應(yīng)所述第二反應(yīng)氣體，并在所述第二溫度以上的第三溫度下，從所述基板去除所述光阻劑圖案。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其中，
第一表皮層去除步驟包括：
副產(chǎn)物形成步驟，在不足所述第一溫度的溫度下，使所述一反應(yīng)氣體及所述第二反應(yīng)氣體與所述第一表皮層反應(yīng)，在所述第二表皮層上形成副產(chǎn)物；以及
副產(chǎn)物升華步驟，將所述基板加熱至第一溫度，使所述副產(chǎn)物升華。
3.如權(quán)利要求2所述的基板處理方法，其中，
所述第一溫度為攝氏80度。
4.如權(quán)利要求2所記載的基板處理方法，其中，
所述第一表皮層包括氧化硅膜。
5.如權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其中，
所述第二溫度為攝氏80度至攝氏140度。
6.如權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其中，
所述第三溫度為攝氏140度。
7.如權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其中，
所述第一反應(yīng)氣體包括氫氟酸、三氟化氮或六氟化硫。
8.如權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其中，
所述第二反應(yīng)氣體包括氫氣或氨氣。
9.如權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其中，
所述第一表皮層去除步驟向所述腔室內(nèi)提供與所述第一反應(yīng)氣體混合的氮?dú)狻?/p>
10.如權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其中，
所述第二表皮層的去除步驟提供與所述第二反應(yīng)氣體混合的氧氣。
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