[發明專利]沉積裝置以及使用該裝置制造有機發光顯示器的方法在審
| 申請號: | 201310362008.8 | 申請日: | 2013-08-19 |
| 公開(公告)號: | CN103710682A | 公開(公告)日: | 2014-04-09 |
| 發明(設計)人: | 李相信 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艷春 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 沉積 裝置 以及 使用 制造 有機 發光 顯示器 方法 | ||
1.一種沉積裝置,包括:
沉積源,用于接納沉積材料;以及
多個噴嘴,沿著第一方向設置在所述沉積源的一側以用于將所述沉積材料噴射到相對的基板上,
其中,
所述沉積源包括中心區域和多個外側區域,其中所述外側區域位于所述中心區域在所述第一方向上的相應端部;并且
所述多個噴嘴包括多個第一噴嘴,所述第一噴嘴設置在所述多個外側區域并且從所述沉積源向外延伸,其中用于形成每個所述第一噴嘴的一端部的表面在所述第一方向上與基板表面形成第一傾斜角。
2.根據權利要求1所述的沉積裝置,其中,
在所述第一方向上的所述基板的中心與在所述第一方向上的所述沉積源的中心對齊,并且
所述沉積源的所述中心區域在所述第一方向的長度滿足如下條件:
其中,L1為在所述第一方向上的所述中心區域的長度;L2為在所述第一方向上的所述基板的沉積區域長度;T為所述基板與所述噴嘴的一端部之間的距離;以及θ為入射角。
3.根據權利要求1所述的沉積裝置,其中,
所述第一傾斜角在43至53度范圍內。
4.根據權利要求1所述的沉積裝置,其中,
所述第一傾斜角在25至35度范圍內。
5.根據權利要求3所述的沉積裝置,其中,
設置在所述中心區域的所述多個第二噴嘴在所述沉積源的外側方向上傾斜,從而使得用于形成各個所述第二噴嘴的一端部的表面在所述第一方向上相對于所述基板表面具有第二傾斜角,并且
所述第二傾斜角小于所述第一傾斜角。
6.根據權利要求1所述的沉積裝置,其中,
在所述第一方向上,多個所述第一噴嘴相對于所述沉積源的中心被對稱地設置。
7.一種有機發光顯示器的制造方法,包括:
提供沉積裝置,其包括用于接納沉積材料的沉積源和沿著第一方向設置在所述沉積源的一側以用于將所述沉積材料噴射到基板上的多個噴嘴;
將所述基板設置成面對所述噴嘴;以及
當在與第一方向相交的第二方向上移動所述沉積源期間,通過所述噴嘴噴射所述沉積材料,
其中,
所述沉積源包括中心區域和多個外側區域,其中所述外側區域位于所述中心區域在所述第一方向上的相應端部;并且
所述多個噴嘴的多個第一噴嘴設置在各個外側區域,在所述第一方向上以第一傾斜角從所述沉積源噴射所述沉積材料。
8.根據權利要求7所述的方法,其中,
所述第一噴嘴包括:用于形成其一端部的表面,所述表面相對于所述基板的表面在外側方向上傾斜,并且在所述第一方向上具有第一傾斜角。
9.根據權利要求7所述的方法,其中,
所述基板在所述第一方向上的中心與所述沉積源在所述第一方向上的中心對齊,并且
所述中心區域在所述第一方向上具有滿足如下條件的長度:
其中,L1為在所述第一方向上的所述中心區域的長度;L2為在所述第一方向上的所述基板的沉積區域長度;T為所述基板與所述噴嘴的一端部之間的距離;以及θ為入射角。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





