[發(fā)明專利]D-A型聚合物半導(dǎo)體材料及其制備方法與應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310361824.7 | 申請日: | 2013-08-19 |
| 公開(公告)號: | CN103450462A | 公開(公告)日: | 2013-12-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 孟鴻;張小濤;苑曉;閆麗佳 | 申請(專利權(quán))人: | 南京友斯貝特光電材料有限公司 |
| 主分類號: | C08G61/12 | 分類號: | C08G61/12;H01L51/00 |
| 代理公司: | 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245 | 代理人: | 關(guān)暢;王春霞 |
| 地址: | 210000 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 聚合物 半導(dǎo)體材料 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種D-A型聚合物半導(dǎo)體材料及其制備方法與應(yīng)用。?
背景技術(shù)
有機(jī)電子器件以其易加工、低成本、高適應(yīng)性吸引了全世界學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的目光,作為電子電路的最基本元素,有機(jī)場效應(yīng)晶體管的發(fā)展更是成為當(dāng)前研究的熱點(diǎn)。?
材料是有機(jī)電子器件的基礎(chǔ)和核心,如今部分有機(jī)半導(dǎo)體材料的性能已經(jīng)達(dá)到與無機(jī)半導(dǎo)體相媲美的程度。例如并五苯(PAN)有機(jī)薄膜器件的遷移率也已超過5cm2V-1s-1(Kelley,T.W.;Muyres,D.V.;Baude,P.F.;Smith,T.P.;Jones,T.D.Mater.Res.Soc.Symp.Proc.2003,771,169.)。但是該材料在成本及穩(wěn)定性上與無機(jī)材料相比仍有差距,所以設(shè)計合成具有工藝簡單、成本較低、材料性能穩(wěn)定和長壽命以達(dá)到商業(yè)化目的的有機(jī)半導(dǎo)體材料將會具有很廣的應(yīng)用前景。?
含噻吩類聚合物是一類有良好光電性能的有機(jī)材料,噻吩并[3,4-c]噻吩及其衍生物僅限于少量有關(guān)單體合成的報道,并且全部是小分子材料,事實(shí)上,以噻吩并[3,4-c]噻吩為核,可以制備一系列有機(jī)半導(dǎo)體光電材料單體,但是相關(guān)聚合物制備及其性能卻未見報道。?
有機(jī)高分子材料以其易溶成膜,制備成本低,工藝簡單尤其令人感興趣,對這一領(lǐng)域的研究不僅具有理論價值,而且具有潛在的應(yīng)用前景。現(xiàn)在市場研究及開發(fā)的主流是一維線性高分子材料,給體-受體型高分子材料是新的研究熱點(diǎn)。?
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種D-A型聚合物半導(dǎo)體材料及其制備方法與應(yīng)用。?
本發(fā)明所提供的一種D-A型聚合物,其結(jié)構(gòu)式如式Ⅰ所示:?
式Ⅰ?
式Ⅰ中,R1、R2和Ar均選自烷基、芳香基和由所述烷基取代的所述芳香基中任一種,所述烷基為碳原子數(shù)為1~16的直鏈或支鏈烷基,所述芳香基為苯基、芴基、噻?吩基、含氟苯基、含氮雜環(huán)基或含硅雜環(huán)基;?
基團(tuán)A表示受體,其選自含氟苯基、苯并噻二唑基及其衍生物、吡咯基、吡咯并吡咯基及其衍生物;?
X和Y均選自S、O、N和Se中的任意一種;?
m為1~4之間的自然數(shù);?
n為5~100之間的自然數(shù)。?
所述的聚合物中,所述噻吩基可為苯并噻吩基或二苯并噻吩基;?
所述含氮雜環(huán)基可為吡咯、咔唑、噻唑、噻二唑、吡啶或哌啶;?
所述含硅雜環(huán)基可為噻咯或苯并噻咯。?
所述的聚合物中,R1為苯基或噻吩基;R2為苯基或噻吩基;Ar為噻吩基;?
基團(tuán)A為式a或式b所示基團(tuán);?
m為1,n為15~23;?
式a????????????????????????????????式b。?
本發(fā)明提供的式Ⅰ所示聚合物的制備方法,包括如下步驟:?
(1)式Ⅱ所示甘氨酸化合物與式Ⅲ所示乙炔化合物經(jīng)酰化反應(yīng)得到式Ⅳ所示化合物;?
式Ⅱ??????????????????????式Ⅲ??????????????????????式Ⅳ?
其中,R1和Ar均選自烷基、芳香基和由所述烷基取代的所述芳香基中任一種,所述烷基為碳原子數(shù)為1~16的直鏈或支鏈烷基,所述芳香基為苯基、芴基、噻吩基、含氟苯基、含氮雜環(huán)基或含硅雜環(huán)基;?
(2)式Ⅳ所示化合物與P2X5進(jìn)行反應(yīng)得到式Ⅴ所示吡咯化合物;?
式Ⅴ?
P2X5和式Ⅴ中,X選自O(shè)、N、S和Se中任一種;R1的定義同式Ⅱ;?
(3)式Ⅴ所示吡咯化合物與式Ⅵ所示乙炔化合物經(jīng)酰化反應(yīng)得到式Ⅶ所示化合物;?
式Ⅵ?????????????????????????????????式Ⅶ?
式中,R1和Ar的定義同式Ⅱ,R2選自烷基、芳香基和由所述烷基取代的所述芳香基中任一種,所述烷基為碳原子數(shù)為1~16的直鏈或支鏈烷基,所述芳香基為苯基、芴基、噻吩基、含氟苯基、含氮雜環(huán)基或含硅雜環(huán)基;?
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于南京友斯貝特光電材料有限公司,未經(jīng)南京友斯貝特光電材料有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310361824.7/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





