[發(fā)明專利]D-A型聚合物半導(dǎo)體材料及其制備方法與應(yīng)用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310361824.7
• 申請日: 2013-08-19
• 公開（公告）號: CN103450462A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孟鴻;張小濤;苑曉;閆麗佳
• 申請（專利權(quán)）人: 南京友斯貝特光電材料有限公司
• 主分類號: C08G61/12
• 分類號: C08G61/12;H01L51/00
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 關(guān)暢;王春霞

1.一種D-A型聚合物，其結(jié)構(gòu)式如式Ⅰ所示：

式Ⅰ

式Ⅰ中，R₁、R₂和Ar均選自烷基、芳香基和由所述烷基取代的所述芳香基中任一種，所述烷基為碳原子數(shù)為1～16的直鏈或支鏈烷基，所述芳香基為苯基、芴基、噻吩基、含氟苯基、含氮雜環(huán)基或含硅雜環(huán)基；

基團(tuán)A表示受體，其選自含氟苯基、苯并噻二唑基及其衍生物、吡咯基、吡咯并吡咯基及其衍生物；

X和Y均選自S、O、N和Se中的任意一種；

m為1～4之間的自然數(shù)；

n為5～100之間的自然數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物，其特征在于：所述噻吩基為苯并噻吩基或二苯并噻吩基；

所述含氮雜環(huán)基為吡咯、咔唑、噻唑、噻二唑、吡啶或哌啶；

所述含硅雜環(huán)基為噻咯或苯并噻咯。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的聚合物，其特征在于：R₁為苯基或噻吩基；R₂為苯基或噻吩基；Ar為噻吩基；

基團(tuán)A為式a或式b所示基團(tuán)；

m為1，n為15～23；

式a??????????????????????式b。

4.式Ⅰ所示聚合物的制備方法，包括如下步驟：

（1）式Ⅱ所示甘氨酸化合物與式Ⅲ所示乙炔化合物經(jīng)酰化反應(yīng)得到式Ⅳ所示化合物；

式Ⅱ??????????????式Ⅲ?????????????????式Ⅳ

其中，R₁和Ar均選自烷基、芳香基和由所述烷基取代的所述芳香基中任一種，所述烷基為碳原子數(shù)為1～16的直鏈或支鏈烷基，所述芳香基為苯基、芴基、噻吩基、含氟苯基、含氮雜環(huán)基或含硅雜環(huán)基；

（2）式Ⅳ所示化合物與P₂X₅進(jìn)行反應(yīng)得到式Ⅴ所示吡咯化合物；

式Ⅴ

P₂X₅和式Ⅴ中，X選自O(shè)、N、S和Se中任一種；R₁的定義同式Ⅱ；

（3）式Ⅴ所示吡咯化合物與式VI所示乙炔化合物經(jīng)酰化反應(yīng)得到式VII所示化合物；

式Ⅵ?????????????????????????式Ⅶ

式中，R₁和Ar的定義同式II，R₂選自烷基、芳香基和由所述烷基取代的所述芳香基中任一種，所述烷基為碳原子數(shù)為1～16的直鏈或支鏈烷基，所述芳香基為苯基、芴基、噻吩基、含氟苯基、含氮雜環(huán)基或含硅雜環(huán)基；

（4）式Ⅶ所示化合物經(jīng)脫氨反應(yīng)，或者經(jīng)所述脫氨反應(yīng)后重復(fù)步驟（2）、步驟（3）和步驟（4），得到式Ⅷ所示化合物；

式Ⅷ

式Ⅷ中，R₁、R₂和Ar的定義同式Ⅶ；m為1～4之間的自然數(shù)；

（5）式Ⅷ所示化合物與P₂Y₅進(jìn)行反應(yīng)得到式IX化合物；

式IX

P₂Y₅中Y選自O(shè)、N、S和Se中任一種；R₁、R₂、Ar和X的定義同式Ⅶ；m為1～4之間的自然數(shù)；

（6）式IX化合物分別經(jīng)硼酸酯化反應(yīng)和有機(jī)錫反應(yīng)得到式X-1和式X-2所示化合物；

式X-1???????????????????????????????????????式X-2

式X-1中，i-Pr表示異丙基，式X-1和式X-2中，R₁、R₂、Ar和X的定義同式Ⅶ；m為1～4之間的自然數(shù)；

（7）式X-1所示化合物與A-Br經(jīng)Suzuki偶聯(lián)反應(yīng)或者式X-2所示化合物與A-Br經(jīng)Stille偶聯(lián)反應(yīng)即得式所示I聚合物；

A選自含氟苯基、苯并噻二唑基及其衍生物、吡咯基、吡咯并吡咯基及其衍生物。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于：步驟（1）中，式Ⅱ所示甘氨酸化合物與式Ⅲ所示乙炔化合物的摩爾比為1：1～1.5；

步驟（3）中，式Ⅴ所示吡咯化合物與式Ⅵ所示乙炔化合物的摩爾比為1：1～1.5。