[發明專利]濺射裝置

在審

• 申請號: 201310361795.4
• 申請日: 2013-08-19
• 公開（公告）號: CN104073772A
• 公開（公告）日: 2014-10-01
• 發明（設計）人: 沈載潤;崔丞鎬
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 余朦;姚志遠

相關申請的交叉引用

本申請要求于2013年3月28日向韓國知識產權局（KIPO）提交的韓國專利申請第10-2013-0033662號的優先權，其全部內容通過引用并入本文。

技術領域

本發明涉及濺射裝置，更具體地，涉及在濺射過程中能夠有效減少目標損害的濺射裝置。

背景技術

通常，濺射裝置用于沉積薄膜并且是用于加速氣體（例如，等離子體中電離的氬氣）、允許氣體碰撞目標，從而噴射出期望的原子以在位于裝置附近的襯底上形成薄膜的裝置。例如，磁控管濺射裝置可以通過使用磁場和感應連續離子化而允許電子停留在目標附近以產生集中濺射，從而增加沉積率。

然而，通過使用上述的濺射裝置，等離子體也可能形成在不期望的區域中。形成在不期望的區域中的等離子體被稱為寄生等離子體并在目標的朝向支撐部分的端部引起電弧放電。

發明內容

本發明提供的濺射裝置能夠有效減少在濺射過程中目標的損害。然而，本發明并不限制于此。

根據本發明的一個方面，通過了一種濺射裝置包括：第一磁組件，第一磁組件在第一方向上延伸并包括在第一方向上延伸且相互對應的第一側面和第二側面，第一磁組件還包括在第一方向上延伸并連接第一側面和第二側面的第一底面；第一屏蔽件，第一屏蔽件位于第一磁組件的第一側面上；以及第一支撐件，第一支撐件用于支撐第一圓柱管狀目標的第一端和第二端，第一圓柱管狀目標具有平行于第一方向的第一縱軸，第一圓柱管狀目標容納第一磁組件和第一屏蔽件。

第一支撐件可包括第一電機，第一電機被配置為使第一圓柱管狀目標繞第一縱軸旋轉。

第一屏蔽件可沿著第一磁組件的第一側面在第一方向上延伸。

第一屏蔽件可從第一磁組件的第一底面突出。

第一屏蔽件可位于第一磁組件的第一底面的至少一部分上。

濺射裝置還可包括位于第一磁組件的第二側面上的第一附加屏蔽件。

第一屏蔽件可被配置為減少關于第一磁組件的第一屏蔽件的外部區域中的磁場的強度。

濺射裝置可進一步包括：第二磁組件，第二磁組件在第一方向上延伸并包括在第一方向上延伸且相互對應的第三側面和第四側面，第二磁組件還包括在第一方向上延伸并連接第三側面和第四側面的第二底面，第三側面鄰近第一磁組件的第二側面；第二屏蔽件，第二屏蔽件位于第二磁組件的第四側面上；以及第二支撐件，第二支撐件用于支撐第二圓柱管狀目標的第一端和第二端，第二圓柱管狀目標具有平行于第一方向的第二縱軸，第二圓柱管狀目標容納第二磁組件和第二屏蔽件。

第二支撐件可包括第二電機，第二電機被配置為使第二圓柱管狀目標繞第二縱軸旋轉。

第二屏蔽件可從第二磁組件的第二底面突出。

第二屏蔽件可位于第二磁組件的第二底面的至少一部分上。

濺射裝置可進一步包括位于第二磁組件的第三側面上的第二附加屏蔽件。

第二屏蔽件可被配置為減少關于第二磁組件的第二屏蔽件的外部區域中的磁場的強度。

根據本發明的一個方面，提供了一種濺射裝置包括：第一磁組件，第一磁組件在第一方向上延伸并包括在第一方向上延伸且相互對應的第一側面和第二側面，第一磁組件還包括在第一方向上延伸并連接第一側面和第二側面的第一底面；第一屏蔽件，第一屏蔽件位于第一磁組件的第一側面上并從第一磁組件的第一底面突出；第一附加屏蔽件，第一附加屏蔽件位于第一磁組件的第二側面上并從第一磁組件的第一底面突出；第二磁組件，第二磁組件在第一方向上延伸并包括在第一方向上延伸且相互對應的第三側面和第四側面，第二磁組件還包括在第一方向上延伸并連接第三側面和第四側面的第二底面，第三側面鄰近第一磁組件的第二側面；第二屏蔽件，第二屏蔽件位于第二磁組件的第四側面上并從第二磁組件的第二底面突出；第二附加屏蔽件，第二附加屏蔽件位于第二磁組件的第三側面上并從第二磁組件的第二底面突出；第一支撐件，第一支撐件用于支撐第一圓柱管狀目標的第一端和第二端，第一圓柱管狀目標具有平行于第一方向的第一縱軸，第一圓柱管狀目標容納第一磁組件和第一屏蔽件；以及第二支撐件，第二支撐件用于支撐第二圓柱管狀目標的第一端和第二端，第二圓柱管狀目標具有平行于第一方向的第二縱軸，第二圓柱管狀目標容納第二磁組件和第二屏蔽件。

第一屏蔽件可被配置為減少關于第一磁組件的第一屏蔽件的外部區域中的磁場的強度；并且第二屏蔽件可被配置為減少關于第二磁組件的第二屏蔽件的外部區域中的磁場的強度。