[發明專利]濺射裝置

在審

• 申請號: 201310361795.4
• 申請日: 2013-08-19
• 公開（公告）號: CN104073772A
• 公開（公告）日: 2014-10-01
• 發明（設計）人: 沈載潤;崔丞鎬
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 余朦;姚志遠

1.一種濺射裝置，包括：

第一磁組件，所述第一磁組件在第一方向上延伸并包括在所述第一方向上延伸且相互對應的第一側面和第二側面，所述第一磁組件還包括在所述第一方向上延伸并連接所述第一側面和所述第二側面的第一底面；

第一屏蔽件，所述第一屏蔽件位于所述第一磁組件的第一側面上；以及

第一支撐件，所述第一支撐件用于支撐第一圓柱管狀目標的第一端和第二端，所述第一圓柱管狀目標具有平行于所述第一方向的第一縱軸，

其中，所述第一圓柱管狀目標容納所述第一磁組件和所述第一屏蔽件。

2.根據權利要求1所述的濺射裝置，其中，所述第一支撐件包括第一電機，所述第一電機被配置為使所述第一圓柱管狀目標繞所述第一縱軸旋轉。

3.根據權利要求1所述的濺射裝置，其中，所述第一屏蔽件沿著所述第一磁組件的第一側面在所述第一方向上延伸。

4.根據權利要求1所述的濺射裝置，其中，所述第一屏蔽件從所述第一磁組件的第一底面突出。

5.根據權利要求1所述的濺射裝置，其中，所述第一屏蔽件位于所述第一磁組件的第一底面的至少一部分上。

6.根據權利要求1所述的濺射裝置，包括位于所述第一磁組件的第二側面上的第一附加屏蔽件。

7.根據權利要求1所述的濺射裝置，其中，所述第一屏蔽件被配置為減少關于所述第一磁組件的所述第一屏蔽件的外部區域中的磁場的強度。

8.根據權利要求1所述的濺射裝置，進一步包括：

第二磁組件，所述第二磁組件在所述第一方向上延伸并包括在所述第一方向上延伸且相互對應的第三側面和第四側面，所述第二磁組件還包括在所述第一方向上延伸并連接所述第三側面和所述第四側面的第二底面，其中所述第三側面鄰近所述第一磁組件的所述第二側面；

第二屏蔽件，所述第二屏蔽件位于所述第二磁組件的第四側面上；以及

第二支撐件，所述第二支撐件用于支撐第二圓柱管狀目標的第一端和第二端，所述第二圓柱管狀目標具有平行于所述第一方向的第二縱軸，

其中，所述第二圓柱管狀目標容納所述第二磁組件和所述第二屏蔽件。

9.根據權利要求8所述的濺射裝置，其中，所述第二支撐件包括第二電機，所述第二電機被配置為使所述第二圓柱管狀目標繞所述第二縱軸旋轉。

10.根據權利要求8所述的濺射裝置，其中，所述第二屏蔽件從所述第二磁組件的第二底面突出。

11.根據權利要求8所述的濺射裝置，其中，所述第二屏蔽件位于所述第二磁組件的第二底面的至少一部分上。

12.根據權利要求8所述的濺射裝置，進一步包括位于所述第二磁組件的第三側面上的第二附加屏蔽件。

13.根據權利要求8所述的濺射裝置，其中，所述第二屏蔽件被配置為減少關于所述第二磁組件的所述第二屏蔽件的外部區域中的磁場的強度。