[發明專利]避免有機發光二極管顯示設備中金屬線路短路的方法

有效

• 申請號: 201310361689.6
• 申請日: 2013-08-19
• 公開（公告）號: CN103426820A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 柯凱元
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L51/56;G03F7/00
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 刁文魁;唐秀萍

技術領域

本發明涉及有機發光二極管顯示設備領域，特別是涉及一種避免有機發光二極管顯示設備中金屬線路短路的方法。

背景技術

有機發光二極管（Organic?Light?Emitting?Diode；OLED）顯示裝置具有自發光、低耗電以及廣視角的優點，因此被視為未來極具發展潛力的顯示設備。

請參閱圖1及圖2，圖1為現有技術中有機發光二極管顯示裝置部份元件布局的上視圖，圖2為圖1沿著線段AA’的剖面圖。

制造所述有機發光二極管顯示裝置的過程是先在一基板（未圖示）上制造若干個薄膜晶體管以作為開關元件，然后再制造有機發光二極管作為發光元件。

制造薄膜晶體管及有機發光二極管的主要步驟包括：首先在所述基板（未圖示）上形成一閘極層（未圖示）及一半導體層（未圖示），接著形成一無機層100，然后在所述無機層100上形成一金屬層，所述金屬層包括金屬線路102、104，分別用于傳送獨立的信號，亦即用于傳送不同的信號，接著在所述金屬線路102、104上形成一有機層106，然后在所述有機層106上形成一氧化銦錫層（Indium?Tin?Oxide；ITO）108，所述氧化銦錫層108用于作為有機發光二極管的陽極，接著于所述氧化銦錫層108上形成一發光層（未圖示）以及一陰極（未圖示）。

然而，在上述有機發光二極管顯示裝置的制造過程中，沉積完所述氧化銦錫層108并在所述氧化銦錫層108形成一光阻層（未圖示）之后，由于所述有機層106的厚度太厚，在執行曝光步驟時，所述氧化銦錫層108的底部會被所述有機層106的頂部遮住而照不到光線，亦即所述有機層106會產生陰影效應，因此執行蝕刻步驟再去除所述光阻層（未圖示）之后，會如圖2所示，造成所述氧化銦錫層108的殘留，進而導致圖1的金屬線路102、104短路。

因此需要對現有技術中氧化銦錫層108的殘留導致金屬線路102、104短路的問題提出解決方法。

發明內容

本發明的目的在于提供一種避免有機發光二極管顯示設備中金屬線路短路的方法，其能解決現有技術中氧化銦錫層的殘留導致金屬線路短路的問題。

為解決上述問題，本發明提供的一種避免有機發光二極管顯示設備中金屬線路短路的方法包括：

在一基板上形成一無機層；

在所述無機層上形成一金屬層，所述金屬層包括兩條金屬線路；

在所述金屬層的所述兩條金屬線路上形成一有機層；

在所述有機層上形成一氧化銦錫層；

涂布一光阻層；

以一光罩對所述光阻層進行曝光，所述光罩對應所述兩條金屬線路之間的位置具有一透光區域，所述透光區域內設置一不透光材，所述不透光材的寬度小于所述光罩的所述透光區域的寬度；

對所述光阻層進行顯影；以及

蝕刻以移除所述氧化銦錫層以及所述有機層的一部分。

在本發明的避免有機發光二極管顯示設備中金屬線路短路的方法中，在蝕刻以移除所述氧化銦錫層以及所述有機層的所述部分的步驟之后包括：

剝離所述光阻層的剩余部分。

在本發明的避免有機發光二極管顯示設備中金屬線路短路的方法中，所述不透光材的寬度為小于2微米。

在本發明的避免有機發光二極管顯示設備中金屬線路短路的方法中，所述不透光材的寬度為1微米至2微米。

在本發明的避免有機發光二極管顯示設備中金屬線路短路的方法中，所述兩條金屬線路作為源極。

在本發明的避免有機發光二極管顯示設備中金屬線路短路的方法中，所述兩條金屬線路作為汲極。

在本發明的避免有機發光二極管顯示設備中金屬線路短路的方法中，所述有機層至少覆蓋所述兩條金屬線路的一部分。

在本發明的避免有機發光二極管顯示設備中金屬線路短路的方法中，所述兩條金屬線路以濕蝕刻方法形成。

相較于現有技術，本發明的避免有機發光二極管顯示設備中金屬線路短路的方法通過設置不透光材，且所述不透光材的寬度小于所述光罩的所述透光區域的寬度，使得進行蝕刻步驟時能降低所述有機層的厚度，因此所述氧化銦錫層能完全被蝕刻而不會殘留，進而能避免所述兩條金屬線路之間發生短路的情況。

為讓本發明的上述內容能更明顯易懂，下文特舉優選實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下：

附圖說明

圖1為現有技術中有機發光二極管顯示裝置部份元件布局的上視圖；

圖2為圖1沿著線段AA’的剖面圖；