[發(fā)明專利]避免有機發(fā)光二極管顯示設備中金屬線路短路的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310361689.6 | 申請日： | 2013-08-19 |
| 公開（公告）號： | CN103426820A | 公開（公告）日： | 2013-12-04 |
| 發(fā)明（設計）人： | 柯凱元 | 申請（專利權）人： | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/77 | 分類號： | H01L21/77;H01L51/56;G03F7/00 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 刁文魁;唐秀萍 |
| 地址： | 518132 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 避免 有機 發(fā)光二極管 顯示 設備 金屬 線路 短路 方法 | ||
1.一種避免有機發(fā)光二極管顯示設備中金屬線路短路的方法，其特征在于，包括：
在一基板上形成一無機層；
在所述無機層上形成一金屬層，所述金屬層包括兩條金屬線路；
在所述金屬層的所述兩條金屬線路上形成一有機層；
在所述有機層上形成一氧化銦錫層；
涂布一光阻層；
以一光罩對所述光阻層進行曝光，所述光罩對應所述兩條金屬線路之間的位置具有一透光區(qū)域，所述透光區(qū)域內設置一不透光材，所述不透光材的寬度小于所述光罩的所述透光區(qū)域的寬度；
對所述光阻層進行顯影；以及
蝕刻以移除所述氧化銦錫層以及所述有機層的一部分。
2.根據(jù)權利要求1所述的避免有機發(fā)光二極管顯示設備中金屬線路短路的方法，其特征在于，在蝕刻以移除所述氧化銦錫層以及所述有機層的所述部分的步驟之后包括：
剝離所述光阻層的剩余部分。
3.根據(jù)權利要求1所述的避免有機發(fā)光二極管顯示設備中金屬線路短路的方法，其特征在于，所述不透光材的寬度為小于2微米。
4.根據(jù)權利要求3所述的避免有機發(fā)光二極管顯示設備中金屬線路短路的方法，其特征在于，所述不透光材的寬度為1微米至2微米。
5.根據(jù)權利要求1所述的避免有機發(fā)光二極管顯示設備中金屬線路短路的方法，其特征在于，所述兩條金屬線路作為源極。
6.根據(jù)權利要求1所述的避免有機發(fā)光二極管顯示設備中金屬線路短路的方法，其特征在于，所述兩條金屬線路作為汲極。
7.根據(jù)權利要求1所述的避免有機發(fā)光二極管顯示設備中金屬線路短路的方法，其特征在于，所述有機層至少覆蓋所述兩條金屬線路的一部分。
8.根據(jù)權利要求1所述的避免有機發(fā)光二極管顯示設備中金屬線路短路的方法，其特征在于，所述兩條金屬線路以濕蝕刻方法形成。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
