[發(fā)明專利]半導體裝置以及層疊型半導體裝置的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310361600.6
• 申請日: 2013-08-19
• 公開（公告）號: CN104064486B
• 公開（公告）日: 2017-01-18
• 發(fā)明（設計）人: 佐藤隆夫;福田昌利
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L21/603
• 分類號: H01L21/603
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所11247
• 代理人: 陳海紅,段承恩

1.一種層疊型半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

在采用樹脂基板的第一基板上在同一平面上排列并粘接多個第一層的半導體芯片的工序；

在所述半導體芯片表面或背面隔著圖形化為所期望的圖形的感光性粘接膜分別進行至少一層以上的半導體芯片的對位并加熱，從而一邊形成液狀樹脂的浸透通路一邊局部粘接，在所述半導體芯片上分別層疊至少一層以上的半導體芯片的工序；

將所述第一基板切斷而分離成各層疊體的工序；

進行對位以使在所述層疊體表面形成的電極焊盤部與第二基板的電極焊盤部互相對準，而對置地暫時連接的工序；

將所述第二基板及層疊體整體回流焊以將電極焊盤部間電連接的工序；

從所述層疊體的所述第一基板側沿所述層疊體供給液狀樹脂而對各半導體芯片間以及所述層疊體與所述第二基板間進行樹脂密封的工序；和

用切割刀片將所述層疊體切斷而個片化的工序。

2.一種層疊型半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

在第一基板上在同一平面上排列并粘接多個第一層的半導體芯片的工序；

在所述半導體芯片上分別層疊至少一層以上的半導體芯片的工序；

將所述第一基板切斷而分離成各層疊體的工序；

進行對位以使在所述層疊體表面形成的電極焊盤部與第二基板的電極焊盤部互相對準，而對置地暫時連接的工序；

將所述第二基板以及層疊體整體回流焊以將電極焊盤部間電連接的工序；

從所述層疊體的所述第一基板側沿所述層疊體供給液狀樹脂而對各半導體芯片間以及所述層疊體與所述第二基板間進行樹脂密封的工序；和

用切割刀片將所述樹脂密封了的層疊體與所述第一基板以及第二基板一并切斷而個片化的工序。

3.根據權利要求2所述的層疊型半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述個片化工序是從所述第一基板側用切割刀片進行切斷的工序。

4.根據權利要求2所述的層疊型半導體裝置的制造方法，其特征在于，在所述個片化工序之前，

包括供給含有填充劑的密封樹脂以對所述層疊體的外側進行樹脂密封的后密封工序，

所述個片化工序是從所述第二基板側用切割刀片進行切斷而個片化的工序。

5.根據權利要求2到4中任一項所述的層疊型半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述第一基板采用樹脂基板。

6.一種半導體裝置，包括：

第一以及第二基板，其對置配置且為同一尺寸；

多層半導體芯片的層疊體，其被夾持在所述第一與第二基板間且電連接于至少一方；和

密封樹脂，其將所述第一與第二基板間、構成所述層疊體的所述半導體芯片間、所述第一以及第二基板與所述層疊體間密封，

該半導體裝置的特征在于，

所述密封樹脂的外緣處于連結所述第一以及第二基板的外緣的線上。