[發明專利]具有維持加熱器的雙單側濺射腔在審
| 申請號: | 201310361550.1 | 申請日: | 2013-08-19 |
| 公開(公告)號: | CN103594096A | 公開(公告)日: | 2014-02-19 |
| 發明(設計)人: | C·B·易;H·劉;H·元;T·塔娜卡 | 申請(專利權)人: | 西部數據傳媒公司 |
| 主分類號: | G11B5/851 | 分類號: | G11B5/851 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245 | 代理人: | 趙蓉民 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 維持 加熱器 雙單側 濺射 | ||
技術領域
本文中描述的實施例涉及磁盤處理系統的領域,并具體涉及磁盤處理系統、加熱器腔、和具有維持加熱器的雙單側濺射腔。
背景技術
為了實現硬盤驅動器介質的面密度增加,EMAR能量輔助磁記錄(EAMR)是在當前的垂直磁記錄(PMR)介質之后正在開發的下一代介質。在EAMR中,局部地加熱記錄介質,從而降低在寫操作期間的磁材料的矯頑磁性。然后迅速冷卻局部區域,從而保留寫信息。這允許使用具有高矯頑磁性磁材料的磁寫頭。局部區域的加熱可以通過例如熱或熱源實現,例如激光器。
為了生成良好質量的EMAR介質,需要高溫處理。在傳統的EMAR和PMR處理中,介質是單獨加熱的和濺射在不同的腔。更具體地,在介質磁盤進入不同的濺射腔之前在第一腔將介質磁盤加熱到某溫度,從而利用所需膜沉積。然而,在離開加熱器腔之后磁盤開始冷卻,和當膜沉積在濺射腔時繼續冷卻。
在制造磁記錄次的過程中使用不同的處理系統。一個處理系統是Anelva磁盤濺射系統。Anelva濺射系統是雙側處理系統,其中在每個腔中同時處理磁盤的兩側。圖1是傳統的雙側磁盤處理系統110的橫截面頂視圖,其中裝載在載體內的兩個磁盤101傳輸到加熱器腔110,利用在磁盤101的相對側上的加熱器112和114加熱磁盤101的兩側。磁盤301隨后傳輸到雙面濺射沉積腔120,利用在磁盤101的相對側上的濺射組件122和124將濺射材料沉積在磁盤101的兩側上。
如圖2中所示,磁盤101的溫度在加熱器腔110中上升(一部分由于在每個側面上的第一加熱元件,另一部分由于在每個側面上的第二加熱元件),然后磁盤一離開加熱器腔110就開始冷卻。盡管在濺射期間濺射腔120提供加熱,但是磁盤的溫度在沉積處理期間繼續下降。溫度下降可以導致消極地影響介質性能的不同濺射膜特性。
發明內容
附圖說明
本發明僅通過實例而非限制示出,在附圖中:
圖1是傳統的磁盤濺射系統的截面頂視圖。
圖2是在利用圖1的傳統磁盤處理系統處理期間的磁盤溫度的曲線圖。
圖3是根據本發明的一個實施例的具有兩個單側沉積腔的磁盤處理系統的橫截面頂視圖,其中每個腔具有維持加熱器。
圖4是根據一個實施例的單側沉積腔的截面頂視圖。
圖5是根據另一個實施例的單側沉積腔的截面頂視圖。
圖6是根據一個實施例的單側沉積腔的截面側視圖。
圖7是磁盤溫度與維持加熱器電功率的曲線圖。
圖8是處理磁盤的方法的流程圖。
具體實施方式
在本文中參考附圖描述方法的實施例。然而,在沒有一個或多個具體細節的情況下或結合其他已知的方法、材料、和裝置實踐特定的實施例。在下面的描述中,闡述用于提供透徹理解的許多具體細節,例如具體材料、尺寸、和處理參數等。在其他情況中,為了避免不必要地模糊要求的主題,未詳細描述眾所周知的制造過程和設備。本說明書的“一個實施例”是指結合實施例描述的特定特征、結構、材料、或特性包括在本發明的至少一個實施例中。因此,在本說明書中的不同地方的術語“在一個實施例中”不一定指相同的實施例。而且,在一個或多個實施例中特定的特征、結構、材料、或特性可以通過任何合適的方式組合起來。
描述具有加熱器腔和雙單側濺射腔的磁盤處理系統的實施例,其中每個單側濺射腔具有維持加熱器。在一個實施例中,磁盤處理系統包括三個腔。第一腔包括布置在腔的相對側的兩個加熱器,用于將磁盤加熱到某溫度。第二腔包括與加熱器相對的濺射組件。濺射組件將膜沉積在磁盤的一側上,而加熱器維持磁盤的溫度。第三腔還包括與加熱器相對的濺射組件,但是倒置,因此噴射組件將膜沉積在磁盤的另一面,而加熱器維持磁盤的溫度。
在每個濺射腔中的加熱器維持在磁盤傳輸至腔和濺射處理期間的磁盤溫度。這樣,加熱器可以稱為維持加熱器。相比之下,在第一腔內的加熱器用于在磁盤傳輸至濺射腔之前使磁盤到達或接近(高于或低于)濺射操作所需的溫度,這樣,該加熱器可以稱為“預加熱器”,因為加熱器在所需溫度執行濺射的腔中執行加熱之前加熱磁盤。維持在傳輸和濺射膜用作EAMR介質的記錄層期間的近似恒定溫度可以有助于生成高質量的EAMR沉積膜,因而,提高在可以實現的其他記錄性能改進之間的超過1db的膜的信噪比(SNR)。
在一個實施例中,護罩固定在護罩托架上和安裝在濺射腔內的加熱元件前面。該護罩可以防止濺射材料的膜沉積在加熱元件上。此外,護罩還可以提供均勻的熱給磁盤,因為為了保持高溫度和高加熱速率磁盤是隔熱的。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西部數據傳媒公司,未經西部數據傳媒公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310361550.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:用于漆包線成品線的收線盤
- 下一篇:一種內腔可儲水的雙層防火板材





