[發(fā)明專利]具有維持加熱器的雙單側(cè)濺射腔

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310361550.1
• 申請(qǐng)日: 2013-08-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103594096A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: C·B·易;H·劉;H·元;T·塔娜卡
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西部數(shù)據(jù)傳媒公司
• 主分類號(hào): G11B5/851
• 分類號(hào): G11B5/851
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民

1.一種磁盤(pán)處理系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包含：

第一腔，其包含布置在所述第一腔內(nèi)的相對(duì)側(cè)的第一加熱器和第二加熱器；

耦合第一腔的第二腔，所述第二腔包含：

固定在所述第二腔的第一側(cè)內(nèi)的用于濺射磁盤(pán)的第一側(cè)的第一濺射組件；和

固定在所述第一側(cè)相對(duì)的第二腔的第二側(cè)內(nèi)的第三加熱器；耦合所述第二腔的第三腔，所述第三腔包含：

固定在所述第三腔的第一側(cè)內(nèi)的第四加熱器，所述第三腔的第一側(cè)和所述第二腔的第一側(cè)是相同的；和

固定在所述第一側(cè)相對(duì)的所述第三腔的第二側(cè)內(nèi)的第二濺射組件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述第二腔和第三腔包含：

所述腔內(nèi)的各個(gè)加熱器的加熱元件；和

布置在所述加熱元件和所述腔內(nèi)的各個(gè)濺射組件之間的護(hù)罩。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中所述護(hù)罩是由包含石墨的材料構(gòu)造。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中所述護(hù)罩可移除地耦合護(hù)罩托架。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中所述護(hù)罩具有的第一表面積大于構(gòu)造為利用載體布置在所述護(hù)罩和所述濺射組件之間的磁盤(pán)的第二表面積。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中所述護(hù)罩具有的直徑在磁盤(pán)的外直徑的80%到120%的范圍內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中所述護(hù)罩托架構(gòu)造為固定護(hù)罩距離加熱元件一距離，其中所述距離是在1mm到12mm的范圍內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中當(dāng)利用載體定位在所述腔中時(shí)，所述護(hù)罩托架構(gòu)造為固定護(hù)罩距離所述磁盤(pán)一距離，其中所述距離是在1.5mm到10mm的范圍內(nèi)。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中所述護(hù)罩具有的厚度在0.5mm到3.5mm的范圍內(nèi)。

10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其中所述加熱元件包含石墨。

11.一種磁盤(pán)處理方法，所述方法包含：

將第一腔中的磁盤(pán)加熱到第一溫度，所述第一腔包含布置在所述第一腔內(nèi)的相對(duì)側(cè)上的第一加熱器和第二加熱器；

將所述磁盤(pán)從第一腔傳輸?shù)降诙唬?/p>

加熱所述第二腔中的磁盤(pán)，同時(shí)只將第一材料濺射到所述磁盤(pán)的第一側(cè)，其中所述磁盤(pán)在傳輸?shù)剿龅诙缓驮谒龅诙恢袨R射的傳輸和濺射期間維持在所述第一溫度的+/-5%內(nèi)；

將所述磁盤(pán)從所述第二腔傳輸?shù)降谌唬?/p>

加熱所述第三腔中的磁盤(pán)，同時(shí)只將第二材料濺射到與所述第一側(cè)相對(duì)的所述磁盤(pán)的第二側(cè)，其中所述磁盤(pán)在傳輸?shù)剿龅谌缓驮谒龅谌恢袨R射期間維持在所述第一溫度的+/-5%內(nèi)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一溫度高于500攝氏度。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一材料和第二材料包含F(xiàn)ePt。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中加熱包含利用布置在所述磁盤(pán)的第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)中的加熱器。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中加熱進(jìn)一步包含為加熱器提供在0.1kw到12kw范圍的功率。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中加熱器包含加熱元件，以及其中所述方法進(jìn)一步包含防止濺射所述加熱元件。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中利用可移除地耦合護(hù)罩托架的護(hù)罩執(zhí)行防護(hù)，以及其中所述護(hù)罩托架構(gòu)造為固定護(hù)罩距離所述磁盤(pán)1.5mm到10mm范圍內(nèi)的距離。

18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述護(hù)罩具有的直徑在所述磁盤(pán)的外直徑的80%到120%的范圍內(nèi)。