[發明專利]一種基于TPS燒結爐所改進的SE絲網印刷燒結工藝有效
申請號: | 201310361483.3 | 申請日: | 2013-08-19 |
公開(公告)號: | CN103413866A | 公開(公告)日: | 2013-11-27 |
發明(設計)人: | 梁興芳;陳斌;王步峰 | 申請(專利權)人: | 潤峰電力有限公司 |
主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;B41M1/12;B41F23/04 |
代理公司: | 濟南圣達知識產權代理有限公司 37221 | 代理人: | 李鵬 |
地址: | 277600 山東省濟*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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搜索關鍵詞: | 一種 基于 tps 燒結爐 改進 se 絲網 印刷 燒結 工藝 | ||
技術領域
本發明涉及一種基于TPS燒結爐所改進的SE絲網印刷燒結工藝。
背景技術
SE工藝(反刻蝕選擇性發射極工藝)近幾年已經成為高效太陽電池的發展路線之一,在使用Despatch燒結爐匹配SE工藝過程中,燒結工藝一般不需要做太大變化;但是,在使用TPS燒結爐過程中,如果不改進燒結工藝,就會產生大量的燒結不良,并且太陽電池的效率也會因為低擋片的影響和降低。現在SE工藝在匹配二次印刷工藝過程中,一般會存在成本過高的問題。
發明內容
本發明的目的是克服現有技術的不足,提供一種基于TPS燒結爐所改進的SE絲網印刷燒結工藝,本發明的工藝是基于TPS燒結爐,針對SE的絲網印刷燒結工藝,它能夠降低生產成本,提高光電轉換效率。
本發明采取的技術方案為:
一種基于TPS燒結爐所改進的SE絲網印刷燒結工藝,包括如下步驟:
首先將通過前端工藝做好的SE硅片,進行印刷背電極和背電場,然后分別印刷正電極主柵和細柵,最后經過TPS燒結爐燒結成為成品電池片。
所述SE硅片的前端工藝為噴蠟反刻蝕工藝,噴蠟線寬控制在200μ~300μ。
所述的SE硅片噴蠟位置的方阻為90~120Ω/□,柵線位置的方阻為50~55Ω/□。
所述的正電極的主柵線和細柵線分開印刷(傳統的絲網印刷工藝,正電極和細柵線印刷一起完成),細柵線的寬度為50μ,印刷重量為0.07g,主柵線的印刷重量為0.02g,比傳統絲網印刷工藝(Ag耗量為0.14g)節省Ag漿耗量35.7%。
所述主柵線蓋過細柵線2~3μ。
所述的燒結爐為TPS燒結爐,燒結爐的峰值溫度為880℃,燒結8區為780℃,燒結7區的溫度為805℃,燒結7、8、9區主要完成銀漿的燒結,該三個溫區的溫度過高或則過低都會導致太陽電池的串聯電阻RS偏高,從而導致電流和光電轉換效率過低。
本發明的有益效果是,解決了傳統燒結工藝,在燒結過程中產生的燒結不良的問題,提高了成品率和太陽電池的光電轉換效率。
具體實施方式
下面結合實施例對本發明作進一步說明。
本工藝的具體步驟為:SE電池片→絲網印刷背電極→絲網印刷背電場→絲網印刷主柵線→絲網印刷細柵線→TPS燒結爐→測試分選。
實施例1:
SE硅片噴蠟位置的方阻為90Ω/□,柵線位置的方阻為50Ω/□。柵線位置上,細柵線的印刷寬度為50μ,細柵線與主柵線分開印刷,為節省成本,主柵線采用膜厚為5μ的網版。另外,為保證主柵線和細柵線良好的接觸,主柵線要求蓋過細柵線2μ的長度。絲網印刷之后,進行燒結工藝,烘干區的溫度不需要調整,燒結峰值溫度需要降低10度;8區的燒結溫度保持不變,也可以根據燒結的具體情況略微調整;燒結7區的溫度提升10度。然后經過測試分選,分析電性能參數。
實施例2:
SE硅片噴蠟位置的方阻為120Ω/□,柵線位置的方阻為55Ω/□。柵線位置上,細柵線的印刷寬度為50μ,細柵線與主柵線分開印刷,為節省成本,主柵線采用膜厚為5μ的網版。另外,為保證主柵線和細柵線良好的接觸,主柵線要求蓋過細柵線3μ的長度。絲網印刷之后,進行燒結工藝,烘干區的溫度不需要調整,燒結峰值溫度需要降低10度;8區的燒結溫度保持不變,也可以根據燒結的具體情況略微調整;燒結7區的溫度提升10度。然后經過測試分選,分析電性能參數。
實施例3:
SE硅片噴蠟位置的方阻為105Ω/□,柵線位置的方阻為55Ω/□。柵線位置上,細柵線的印刷寬度為50μ,細柵線與主柵線分開印刷,為節省成本,主柵線采用膜厚為5μ的網版。另外,為保證主柵線和細柵線良好的接觸,主柵線要求蓋過細柵線3μ的長度。絲網印刷之后,進行燒結工藝,烘干區的溫度不需要調整,燒結峰值溫度需要降低10度;8區的燒結溫度保持不變,也可以根據燒結的具體情況略微調整;燒結7區的溫度提升10度。然后經過測試分選,分析電性能參數。
經過綜合統計上述三個實施例,本發明的成品率提高了1.2%,太陽電池的光電轉換效率提高了0.2%。
上述雖然對本發明的具體實施方式進行了描述,但并非對本發明保護范圍的限制,所屬領域技術人員應該明白,在本發明的技術方案的基礎上,本領域技術人員不需要付出創造性勞動即可做出的各種修改或變形仍在本發明的保護范圍以內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的