[發明專利]一種基于TPS燒結爐所改進的SE絲網印刷燒結工藝

有效

• 申請號: 201310361483.3
• 申請日: 2013-08-19
• 公開（公告）號: CN103413866A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發明（設計）人: 梁興芳;陳斌;王步峰
• 申請（專利權）人: 潤峰電力有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;B41M1/12;B41F23/04
• 代理公司: 濟南圣達知識產權代理有限公司 37221
• 代理人: 李鵬

1.一種基于TPS燒結爐所改進的SE絲網印刷燒結工藝，其特征是，包括如下步驟：

首先將通過前端工藝做好的SE硅片，進行印刷背電極和背電場，然后分別印刷正電極主柵和細柵，最后經過TPS燒結爐燒結成為成品電池片。

2.如權利要求1所述的基于TPS燒結爐所改進的SE絲網印刷燒結工藝，其特征是，所述SE硅片的前端工藝為噴蠟反刻蝕工藝，噴蠟線寬控制在200μ～300μ。

3.如權利要求2所述的基于TPS燒結爐所改進的SE絲網印刷燒結工藝，其特征是，所述的SE硅片噴蠟位置的方阻為90～120Ω/□，柵線位置的方阻為50～55Ω/□。

4.如權利要求1所述的基于TPS燒結爐所改進的SE絲網印刷燒結工藝，其特征是，所述的正電極的主柵線和細柵線分開印刷，細柵線的寬度為50μ，印刷重量為0.07g，主柵線的印刷重量為0.02g。

5.如權利要求4所述的基于TPS燒結爐所改進的SE絲網印刷燒結工藝，其特征是，所述主柵線蓋過細柵線2～3μ。

6.如權利要求1所述的基于TPS燒結爐所改進的SE絲網印刷燒結工藝，其特征是，所述的燒結爐為TPS燒結爐，燒結爐的峰值溫度為880℃，燒結8區為780℃，燒結7區的溫度為805℃。