[發(fā)明專利]MOCVD設(shè)備的噴淋頭及MOCVD設(shè)備

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310360260.5
• 申請日: 2013-08-16
• 公開（公告）號: CN103409730A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 譚華強(qiáng);黃允文;喬徽;林翔;蘇育家
• 申請（專利權(quán)）人: 光壘光電科技（上海）有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及化學(xué)氣相沉積設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種MOCVD設(shè)備的噴淋頭及MOCVD設(shè)備。

背景技術(shù)

金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積（MOCVD）工藝過程中，含有不同反應(yīng)源的III族源氣體和V族源氣體分別通入MOCVD設(shè)備的反應(yīng)腔內(nèi)進(jìn)行反應(yīng)以在襯底上形成薄膜。

光達(dá)光電設(shè)備科技（嘉興）有限公司在其提出申請的一個未公開的中國專利申請（申請?zhí)枺?01210560614.6）中揭露一種MOCVD設(shè)備。如圖1所示，所述MOCVD設(shè)備的反應(yīng)腔室一般包括反應(yīng)室1、托盤2和噴淋頭3，其中，所述托盤2設(shè)置于所述反應(yīng)室1的內(nèi)部，托盤2用于放置襯底，所述噴淋頭3設(shè)置于所述托盤2的上方，用于向所述托盤2提供反應(yīng)氣體。噴淋頭3中靠近所述托盤的一側(cè)設(shè)置有熱壁板14，III族源氣體和V族源氣體穿過所述熱壁板14達(dá)到所述托盤的表面。MOCVD工藝過程中熱壁板14吸熱溫度上升，而所述熱壁板14與噴淋頭3的其他結(jié)構(gòu)之間不發(fā)生熱傳遞。

請繼續(xù)參考圖1，熱壁板14上設(shè)置有多個通孔17，III族源氣體管道15的一端設(shè)置于所述通孔17的內(nèi)部。III族源氣體管道15的直徑略小于通孔17的孔徑，剛好插入熱壁板14的通孔17中。

然而，在MOCVD工藝過程中發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有的MOCVD設(shè)備的沉積效率較低。

為了提高M(jìn)OCVD設(shè)備的沉積效率，縮短工藝時間，本領(lǐng)域技術(shù)人員一直在尋找導(dǎo)致MOCVD設(shè)備沉積效率低的原因以及其解決方法。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種MOCVD設(shè)備的噴淋頭及MOCVD設(shè)備，以解決現(xiàn)有的MOCVD設(shè)備沉積效率低的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種MOCVD設(shè)備的噴淋頭，所述MOCVD設(shè)備的噴淋頭包括：III族源氣體腔、多個III族源氣體管道、冷卻腔和熱壁板；

所述冷卻腔位于所述III族源氣體腔和所述熱壁板之間；

所述熱壁板上設(shè)有多個通孔，所述III族源氣體管道的一端與所述III族源氣體腔連接，所述III族源氣體管道的另一端穿過所述冷卻腔和所述熱壁板的通孔；

其中，III族源氣體管道穿過的通孔為第一通孔，所述第一通孔的孔徑沿所述III族源氣體管道延伸方向不唯一。

可選的，在所述的MOCVD設(shè)備的噴淋頭中，所述第一通孔的縱截面為梯形，所述梯形靠近III族源氣體腔的底邊比遠(yuǎn)離III族源氣體腔的底邊長；

或所述第一通孔的縱截面為梯形，所述梯形靠近III族源氣體腔的底邊比遠(yuǎn)離III族源氣體腔的底邊短；

或所述第一通孔的孔徑中間小兩端大。

可選的，在所述的MOCVD設(shè)備的噴淋頭中，還包括V族源氣體腔和多個V族源氣體管道；

所述V族源氣體腔位于所述冷卻腔的遠(yuǎn)離III族源氣體腔的一側(cè)，所述熱壁板為構(gòu)成所述V族源氣體腔的底板，所述V族源氣體管道為所述熱壁板上的通孔。

可選的，在所述的MOCVD設(shè)備的噴淋頭中，還包括V族源氣體腔和多個V族源氣體管道；

所述V族源氣體腔位于所述III族源氣體腔與所述冷卻腔之間；

所述多個V族源氣體管道的一端均與所述V族源氣體腔連接，所述V族源氣體管道另一端穿過所述冷卻腔和所述熱壁板。

可選的，在所述的MOCVD設(shè)備的噴淋頭中，還包括V族源氣體腔和多個V族源氣體管道；

所述V族源氣體腔位于所述III族源氣體腔與所述冷卻腔之間；

所述多個V族源氣體管道的一端均與所述V族源氣體腔連接，所述V族源氣體管道另一端穿過所述冷卻腔，并到達(dá)所述熱壁板與所述冷卻腔的間隙。

本發(fā)明還提供一種MOCVD設(shè)備，所述MOCVD設(shè)備包括：反應(yīng)室、托盤和如上所述的噴淋頭；

所述托盤和所述噴淋頭均位于所述反應(yīng)室的內(nèi)部且相對設(shè)置；

所述噴淋頭的熱壁板位于鄰近所述托盤的一側(cè)。