[發明專利]MOCVD設備的噴淋頭及MOCVD設備無效
| 申請號： | 201310360260.5 | 申請日： | 2013-08-16 |
| 公開（公告）號： | CN103409730A | 公開（公告）日： | 2013-11-27 |
| 發明（設計）人： | 譚華強;黃允文;喬徽;林翔;蘇育家 | 申請（專利權）人： | 光壘光電科技（上海）有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/455 | 分類號： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mocvd 設備 噴淋 | ||
1.一種MOCVD設備的噴淋頭，其特征在于，包括：III族源氣體腔、多個III族源氣體管道、冷卻腔和熱壁板；
所述冷卻腔位于所述III族源氣體腔和所述熱壁板之間；
所述熱壁板上設有多個通孔，所述III族源氣體管道的一端與所述III族源氣體腔連接，所述III族源氣體管道的另一端穿過所述冷卻腔和所述熱壁板的通孔；
其中，III族源氣體管道穿過的通孔為第一通孔，所述第一通孔的孔徑沿所述III族源氣體管道延伸方向不唯一。
2.如權利要求1所述的MOCVD設備的噴淋頭，其特征在于，所述第一通孔的縱截面為梯形，所述梯形靠近III族源氣體腔的底邊比遠離III族源氣體腔的底邊長；
或所述第一通孔的縱截面為梯形，所述梯形靠近III族源氣體腔的底邊比遠離III族源氣體腔的底邊短；
或所述第一通孔的孔徑中間小兩端大。
3.如權利要求1至2任一項所述的MOCVD設備的噴淋頭，其特征在于，還包括V族源氣體腔和多個V族源氣體管道；
所述V族源氣體腔位于所述冷卻腔的遠離III族源氣體腔的一側，所述熱壁板為構成所述V族源氣體腔的底板，所述V族源氣體管道為所述熱壁板上的通孔。
4.如權利要求1至2任一項所述的MOCVD設備的噴淋頭，其特征在于，還包括V族源氣體腔和多個V族源氣體管道；
所述V族源氣體腔位于所述III族源氣體腔與所述冷卻腔之間；
所述多個V族源氣體管道的一端均與所述V族源氣體腔連接，所述V族源氣體管道另一端穿過所述冷卻腔和所述熱壁板。
5.如權利要求1至2任一項所述的MOCVD設備的噴淋頭，其特征在于，還包括V族源氣體腔和多個V族源氣體管道；
所述V族源氣體腔位于所述III族源氣體腔與所述冷卻腔之間；
所述多個V族源氣體管道的一端均與所述V族源氣體腔連接，所述V族源氣體管道另一端穿過所述冷卻腔，并到達所述熱壁板與所述冷卻腔的間隙。
6.一種MOCVD設備，其特征在于，包括：
反應室、托盤和如權利要求1至5中任一項所述的噴淋頭；
所述托盤和所述噴淋頭均位于所述反應室的內部且相對設置；
所述噴淋頭的熱壁板位于鄰近所述托盤的一側。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
