[發(fā)明專利]設備控制方法和電子設備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310356348.X
• 申請日: 2013-08-15
• 公開（公告）號: CN104375953A
• 公開（公告）日: 2015-02-25
• 發(fā)明（設計）人: 孫清濤
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)想（北京）有限公司
• 主分類號: G06F12/08
• 分類號: G06F12/08;G11C29/08
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 安之斐

1.一種設備控制方法，應用于具有閃存存儲盤的電子設備，所述方法包括：

檢測所述閃存存儲盤的性能是否下降到滿足預定整盤性能惡化條件；

當檢測到所述閃存存儲盤的性能下降到滿足所述預定整盤性能惡化條件時，提示用戶插入附加存儲盤；

檢測是否存在所述附加存儲盤的插入；以及

當檢測到存在所述附加存儲盤的插入時，

檢索所述閃存存儲盤中滿足預定數(shù)據(jù)塊性能惡化條件的數(shù)據(jù)塊；以及

將滿足所述預定數(shù)據(jù)塊性能惡化條件的數(shù)據(jù)塊中的數(shù)據(jù)復制到所述附加存儲盤中。

2.如權(quán)利要求1所述的設備控制方法，還包括：

利用所復制的數(shù)據(jù)在所述附加存儲盤中的新地址替換所復制的數(shù)據(jù)在所述閃存存儲盤中的原地址作為所復制的數(shù)據(jù)的尋址地址。

3.如權(quán)利要求1所述的設備控制方法，其中所述預定整盤性能惡化條件包括：

壞數(shù)據(jù)塊的數(shù)目大于一預定值；

單位時間內(nèi)產(chǎn)生壞數(shù)據(jù)塊的速度大于一預定值；

滿足所述預定數(shù)據(jù)塊性能惡化條件的數(shù)據(jù)塊的數(shù)目大于一預定值；

單位時間內(nèi)產(chǎn)生滿足所述預定數(shù)據(jù)塊性能惡化條件的數(shù)據(jù)塊的速度大于一預定值；或者

以上各項的任意組合。

4.如權(quán)利要求1所述的設備控制方法，其中所述預定數(shù)據(jù)塊性能惡化條件包括：

數(shù)據(jù)塊的讀寫速度低于一預定值；

數(shù)據(jù)塊中的錯誤位的數(shù)目大于一預定值；

對數(shù)據(jù)塊每次操作的平均重試次數(shù)大于一預定值；或者

以上各項的任意組合。

5.如權(quán)利要求1所述的設備控制方法，其中

所述閃存存儲盤為固態(tài)硬盤；以及

所述附加存儲盤為固態(tài)硬盤、優(yōu)盤或磁硬盤。

6.一種電子設備，所述電子設備包括：

閃存存儲盤；

接口單元，配置為檢測是否存在附加存儲盤的插入；

數(shù)據(jù)檢索與復制單元，配置為：當所述接口單元檢測到存在附加存儲盤的插入時，檢索所述閃存存儲盤中滿足預定數(shù)據(jù)塊性能惡化條件的數(shù)據(jù)塊，以及將滿足所述預定數(shù)據(jù)塊性能惡化條件的數(shù)據(jù)塊中的數(shù)據(jù)復制到所述附加存儲盤中；

存儲盤檢測單元，配置為檢測所述閃存存儲盤的性能是否下降到滿足預定整盤性能惡化條件；以及

提示單元，配置為：當所述存儲盤檢測單元檢測到所述閃存存儲盤的性能下降到滿足所述預定整盤性能惡化條件時，提示用戶插入所述附加存儲盤。

7.如權(quán)利要求6所述的電子設備，還包括：

地址替換單元，配置為利用所復制的數(shù)據(jù)在所述附加存儲盤中的新地址替換所復制的數(shù)據(jù)在所述閃存存儲盤中的原地址作為所復制的數(shù)據(jù)的尋址地址。

8.如權(quán)利要求6所述的電子設備，其中所述預定整盤性能惡化條件包括：

壞數(shù)據(jù)塊的數(shù)目大于一預定值；

單位時間內(nèi)產(chǎn)生壞數(shù)據(jù)塊的速度大于一預定值；

滿足所述預定數(shù)據(jù)塊性能惡化條件的數(shù)據(jù)塊的數(shù)目大于一預定值；

單位時間內(nèi)產(chǎn)生滿足所述預定數(shù)據(jù)塊性能惡化條件的數(shù)據(jù)塊的速度大于一預定值；或者

以上各項的任意組合。

9.如權(quán)利要求6所述的電子設備，其中所述預定數(shù)據(jù)塊性能惡化條件包括：

數(shù)據(jù)塊的讀寫速度低于一預定值；

數(shù)據(jù)塊中的錯誤位的數(shù)目大于一預定值；

對數(shù)據(jù)塊每次操作的平均重試次數(shù)大于一預定值；或者

以上各項的任意組合。