[發(fā)明專利]具有金紅石結(jié)晶相二氧化鈦介電膜的半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310356172.8
• 申請日: 2013-08-15
• 公開（公告）號: CN103811481A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 謝君毅;維許瓦耐·巴赫特
• 申請（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/01
• 分類號: H01L27/01;H01L27/108;H01L21/02;H01L21/8242
• 代理公司: 深圳新創(chuàng)友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含：

一第一電極，設(shè)于一基材上；

一模板層，設(shè)于所述第一電極上；

一二氧化鈦介電層，設(shè)于所述模板層上，其中所述二氧化鈦介電層僅單純具有金紅石結(jié)晶相；以及

一第二電極，位于所述二氧化鈦介電層上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一電極包含有釕。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述模板層包含有釕、氧化釕、銥或氧化銥。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二電極包含有釕、鉑、銥、氧化釕、氧化銥、氮化鈦、氮化鉭、或氮化鎢。