[發明專利]一種具有絨面結構的AZO薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 201310355170.7
• 申請日: 2013-08-15
• 公開（公告）號: CN103400907A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發明（設計）人: 彭壽;王蕓;馬立云;崔介東
• 申請（專利權）人: 蚌埠玻璃工業設計研究院;中國建材國際工程集團有限公司
• 主分類號: H01L31/20
• 分類號: H01L31/20
• 代理公司: 安徽省蚌埠博源專利商標事務所 34113
• 代理人: 楊晉弘

1.一種具有絨面結構的AZO薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

a、首先在玻璃基底上制備一層厚度為50~100nm的SiO₂薄膜，并使其具有島狀的表面形貌，

b、接著以島狀結構的SiO₂薄膜為基底，采用磁控濺射工藝制備AZO薄膜，使其模仿基底SiO₂薄膜的表面形貌生長，并控制膜厚為600~700nm，最終直接形成表面具有一定絨度的AZO薄膜。

2.根據權利要求1所述的一種具有絨面結構的AZO薄膜的制備方法，其特征在于，所述的具有島狀表面形貌絨面結構的SiO₂薄膜，是通過以下工藝制備的：

（1）采用磁控濺射技術，靶材選擇SiO₂陶瓷靶，濺射制備SiO₂薄膜，厚度為50~100nm；

（2）采用磁控濺射技術，在上述SiO₂薄膜上，濺射制備一層錫薄膜，厚度為20~50nm，靶材為錫靶，濺射過程中的襯底溫度為80~100℃；

（3）將上述具有SiO₂薄膜與錫薄膜的復合膜層進行等離子刻蝕，刻蝕的深度為20~40nm；

（4）等離子刻蝕完成后，用硝酸將殘存的錫膜腐蝕掉，最后得到玻璃基底上的SiO₂薄膜，具有島狀的表面形貌。