[發明專利]接觸孔的刻蝕方法有效
| 申請號： | 201310354603.7 | 申請日： | 2013-08-14 |
| 公開（公告）號： | CN103400799A | 公開（公告）日： | 2013-11-20 |
| 發明（設計）人： | 吳敏;楊渝書;李程 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陸花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 接觸 刻蝕 方法 | ||
1.一種接觸孔的刻蝕方法，包括步驟：?
提供半導體襯底，在所述半導體襯底上依次形成有層間介質層、抗反射層以及圖案化的光阻層；?
刻蝕抗反射層，形成刻蝕孔，刻蝕停止于所述層間介質層的表面；?
在所述圖案化的光阻層和抗反射層的表面以及刻蝕孔的內壁形成聚合物；?
刻蝕所述刻蝕孔內的層間介質層，形成接觸孔。?
2.如權利要求1所述的接觸孔的刻蝕方法，其特征在于，所述聚合物采用電漿沉積方式形成。?
3.如權利要求2所述的接觸孔的刻蝕方法，其特征在于，所述電漿沉積方式的反應壓強范圍是30毫托～50毫托。?
4.如權利要求2所述的接觸孔的刻蝕方法，其特征在于，所述電漿沉積方式的高頻電壓功率范圍是300瓦～500瓦，偏置電壓功率為50瓦～100瓦。?
5.如權利要求2述的接觸孔的刻蝕方法，其特征在于，所述聚合物由C4F8、CH2F2以及CH3F的混合物形成。?
6.如權利要求5的接觸孔的刻蝕方法，其特征在于，所述C4F8、CH2F2以及CH3F的流量比例范圍是1:1:1～1:1:3?。
7.如權利要求6的接觸孔的刻蝕方法，其特征在于，所述C4F8、CH2F2以及CH3F的流量范圍分別是50cm3/min～80cm3/min、50cm3/min～80cm3/min以及50cm3/min～150cm3/min。?
8.如權利要求1的接觸孔的刻蝕方法，其特征在于，所述層間介質層的材質為二氧化硅。?
9.如權利要求1的接觸孔的刻蝕方法，其特征在于，所述半導體襯底的材質為硅。?
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
