[發(fā)明專利]一種設置有摻硅GaN層的發(fā)光二極管外延片

無效

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• 申請日: 2013-08-14
• 公開（公告）號: CN103413873A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發(fā)明（設計）人: 蘆玲;張向飛;錢仁海;劉堅
• 申請（專利權）人: 淮安澳洋順昌光電技術有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/32
• 代理公司: 淮安市科文知識產(chǎn)權事務所 32223
• 代理人: 謝觀素

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技術領域

????本發(fā)明涉及LED外延片技術領域，具體涉及一種設置有摻硅GaN層的發(fā)光二極管外延片。?

背景技術

目前，藍綠光發(fā)光二極管的主流是在藍寶石或碳化硅襯底上生長GaN材料，其中絕大部分采用藍寶石作為襯底，由于藍寶石襯底與GaN材料之間較大的晶格失配與熱失配，導致GaN外延層內(nèi)產(chǎn)生高密度的缺陷，例如穿透位錯。實驗證明這些缺陷是III族氮化物基發(fā)光二極管中反向漏電電流產(chǎn)生的一個重要途徑。現(xiàn)有的外延片在生產(chǎn)過程中，?N型GaN層主要由GaN層構成,導致發(fā)光二極管的抗靜電能力差。?

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種設置有摻硅GaN層的發(fā)光二極管外延片，該技術方案有效解決傳統(tǒng)外延片抗靜電能力差，從而導致芯片擊穿的問題。?

本發(fā)明通過以下技術方案實現(xiàn)：?

一種設置有摻硅GaN層的發(fā)光二極管外延片，包括藍寶石襯底層（1）、Buffer—緩沖層（2）、N型GaN層（3）、N—SLS層（4）、MQW發(fā)光層（5）以及P型GaN層（6），其特征在于：所述N型GaN層（3）包括80個由摻硅GaN層（31）、GaN層（32）構成的層單元（33）疊加構成。

本發(fā)明進一步技術改進方案是：?

所述構成每個層單元（33）的摻硅GaN層（31）的厚度為15?nm，GaN層（32）的厚度為10nm。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比，具有以下明顯優(yōu)點：傳統(tǒng)外延片的N型GaN層主要由GaN層構成，本發(fā)明通過在GaN層上設置摻硅GaN層，GaN層（31）、GaN層（32）構成一個層單元，并疊加80次，可明顯提升提升發(fā)光二極管的抗靜電能力，避免芯片擊穿的問題。?

附圖說明

圖1為本發(fā)明的結(jié)構示意圖；?

圖1中11為藍寶石襯底層；2為Buffer—緩沖層；3為N型GaN層；4為N—SLS層；5為MQW發(fā)光層；6為P型GaN層；

圖2為本發(fā)明N型GaN層的層單元結(jié)構示意圖。

具體實施方式

如圖1、2所示，本發(fā)明包括藍寶石襯底層1、Buffer—緩沖層2、N型GaN層3、N—SLS層4、MQW發(fā)光層5以及P型GaN層6，?N型GaN層3包括80個由摻硅GaN層31、GaN層32構成的層單元33疊加構成，構成每個層單元33的摻硅GaN層31的厚度為15?nm，GaN層32的厚度為10nm。?

本發(fā)明未涉及部分均與現(xiàn)有技術相同或可采用現(xiàn)有技術加以實現(xiàn)。