[發明專利]一種設置有摻硅GaN層的發光二極管外延片無效
| 申請號： | 201310351270.2 | 申請日： | 2013-08-14 |
| 公開（公告）號： | CN103413873A | 公開（公告）日： | 2013-11-27 |
| 發明（設計）人： | 蘆玲;張向飛;錢仁海;劉堅 | 申請（專利權）人： | 淮安澳洋順昌光電技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/32 |
| 代理公司： | 淮安市科文知識產權事務所 32223 | 代理人： | 謝觀素 |
| 地址： | 223000 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 設置 有摻硅 gan 發光二極管 外延 | ||
【權利要求書】：
1.一種設置有摻硅GaN層的發光二極管外延片，包括藍寶石襯底層（1）、Buffer—緩沖層（2）、N型GaN層（3）、N—SLS層（4）、MQW發光層（5）以及P型GaN層（6），其特征在于：所述N型GaN層（3）包括80個由摻硅GaN層（31）、GaN層（32）構成的層單元（33）疊加構成。
2.根據權利要求1所述的一種設置有摻硅GaN層的發光二極管外延片，其特征在于：所述構成每個層單元（33）的摻硅GaN層（31）的厚度為15?nm，GaN層（32）的厚度為10nm。
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