[發明專利]一種陣列基板及其制備方法及顯示裝置

有效

• 申請號: 201310349727.6
• 申請日: 2013-08-12
• 公開（公告）號: CN103413784A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發明（設計）人: 崔承鎮;金熙哲;宋泳錫;劉圣烈
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 黃燦;安利霞

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別是指一種陣列基板及其制備方法及顯示裝置。

背景技術

TFT-LCD(Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display，薄膜場效應晶體管液晶顯示器)是利用設置在液晶層上電場強度的變化，改變液晶分子的旋轉的程度，從而控制透光的強弱來顯示圖像的。一般來講，一塊完整的液晶顯示面板必須具有由背光模塊組、偏光片、上基板(通常是彩膜基板)和下基板(通常是陣列基板)以及由它們兩塊基板組成的盒中填充的液晶分子層構成。

陣列基板上形成有橫縱交叉的數據線和柵線，數據線和柵線圍設形成矩陣形式排列的像素單元。每個像素單元包括TFT開關和像素電極；其中，TFT開關包括柵電極、源電極、漏電極和有源層；柵電極連接柵線，源電極連接數據線，漏電極連接像素電極，有源層形成在源、漏電極與柵電極之間。

陣列基板上一般還形成有公共電極，用于和像素電極形成電場，公共電極與像素電極之間的電場強度變化控制著液晶分子的旋轉的程度。

ADS－DS(ADvanced?Super?Dimension?Switch)，簡稱ADS，即高級超維場轉換技術，通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉換技術可以提高TFT-LCD產品的畫面品質，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push?Mura)等優點。如圖1所示，在ADS模式的TFT陣列基板110的公共電極111與像素電極112的存儲電容（Cst）非常大，幾乎占到整個像素區域，特別是大尺寸產品，由于像素面積變大后，存儲電容會變得更大，通常為了適應這么大的存儲電容，需要設計更大的薄膜晶體管進行充滿，較大的薄膜晶體管一是會占用像素面積，二是薄膜晶體管本身的耦合電容Cgd，Cgs等也會變大，從而影響畫面顯示，從而在設計上受到很多限制，一般情況下，解決這樣的問題最直接的方法之一是ADS型像素電極112和公共電極111形成為如圖2所示的狀態，但目前的工藝是無法直接實現的，原因是像素電極112和公共電極111均是透明電極，在通過工藝設備進行曝光、顯影等過程中，透明薄膜的對位效果是有限的，設備根本無法做到真正的如圖2所示的結構，如果因為工藝對位偏差導致像素電極與公共電極在一個有效顯示區域內相對位移不均勻，比如一部分區域像素電極112相對于公共電極111向左偏，而另一部分區域像素電極112相對于公共電極111向右偏，則會出現Cst區域間不均，反映到畫面中，則會出現一個顯示器上各個區域之間的顯示灰度不均勻，人眼感覺到的就是畫面區域間顯示亮度不均導致畫面失真，是非常致命的顯示缺陷，而現有技術中沒有很好的解決方案。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種陣列基板及其制備方法及顯示裝置,可以使陣列基板的像素電極與公共電極的交疊為0，減小公共電極與像素電極的存儲電容，保證畫面品質。

為解決上述技術問題，本發明的實施例提供一種陣列基板的制備方法，包括：

在基板上形成有狹縫結構的公共電極，以及與所述公共電極零交疊的狹縫結構的像素電極。

其中，在基板上形成有狹縫結構的公共電極，以及與所述公共電極零交疊的狹縫結構的像素電極的步驟包括：

在基板上形成柵級、柵線、柵絕緣層、半導體層、數據線、源/漏極、鈍化層；

在形成有鈍化層的基板上形成狹縫結構的保護層和鈍化層的圖形；

在形成有所述保護層和鈍化層的圖形的基板上，形成透明導電薄膜，所述透明導電薄膜用于形成位于所述保護層上的狹縫結構的公共電極，以及位于所述狹縫結構中的狹縫區域的像素電極。

其中，在形成有鈍化層的基板上形成狹縫結構的保護層和鈍化層的圖形的步驟包括：

在所述鈍化層上形成保護層；

對所述保護層以及所述鈍化層進行構圖，得到具有狹縫結構的保護層和鈍化層的圖形。

其中，對所述保護層以及所述鈍化層進行構圖，得到具有狹縫結構的保護層和鈍化層的圖形的步驟包括：

在所述保護層上形成光刻膠；其中，所述保護層為無機絕緣樹脂材料；

利用普通構圖工藝，依次對所述保護層和鈍化層進行刻蝕，得到具有狹縫結構的保護層和鈍化層的圖形。

其中，對所述保護層以及所述鈍化層進行構圖，得到具有狹縫結構的保護層和鈍化層的圖形的步驟包括：